[发明专利]一种晶体硅太阳能电池片资源分类回收方法

说明书

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片资源分类回收方法，包括以下步骤：清洁晶体硅太阳能电池片得到干净的硅晶片；去除硅晶片表面的铝；去除硅晶片表面的银；去除硅晶片表面的防反射层以及N型结：在室温下，将已经去除铝和银的硅晶片洗干净，放入混合酸水溶液中，混合酸水溶液中含有体积分数为39%~41%的HNO₃和体积分数为5.5%~6.5%的HF，硅晶片在混合酸水溶液中反应75min以上，得到纯净的硅晶片。本发明采用盐酸除铝，采用硝酸+氢氟酸的混合酸形式，对硅晶片上的蓝色防反射层和N型结均有较好的去除效果，可以得到纯度较高的硅晶片。

技术领域

本发明属于固体废弃物处理领域，具体涉及一种废晶体硅太阳能电池片中铝、银、晶体硅分类回收方法。

背景技术

晶体硅太阳能电池是光伏组件的基本组成部分，从上到下分别为正面电极、防反射膜、N型层、PN结、P型层和背面电极。正面电极一般为银（Ag）的栅线电极，防反射膜为四氮化硅（Si₃N₄），N型层是在硅基片上掺杂的磷（P）元素，P型层即为硅基片，背部的电极一般为刷满整面的铝（Al）浆料。太阳能电池片的制作需在硅片表层进行制绒、扩散及电极印刷等程序，在回收完整的硅晶片时，高温已将电池表面的涂层破坏，需要经过一系列的化学蚀刻，去除硅片表层的其他涂层，得到纯净的硅片。

公开号为CN103920698A为的中国专利公开了一种废晶体硅太阳能电池片的分类回收方法，采用的 NaOH溶液-HNO₃溶液-HF溶液的分离回收步骤，该专利中NaOH溶液在蚀刻电池片铝层的同时，也会将硅片蚀刻，对于蚀刻液中铝絮凝剂的回收难度增加；且HF溶液仅仅只能蚀刻氮化硅防反射层，对于n型结的去处效果不佳，影响多晶硅的纯度。

发明内容

本发明的目的在于克服以上技术缺陷，提供一种能够分离出更纯净的硅晶片的资源分类回收方法。本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

一种晶体硅太阳能电池片资源分类回收方法，包括以下步骤：

1）清洁晶体硅太阳能电池片得到干净的硅晶片；

2）去除硅晶片表面的铝；

3）去除硅晶片表面的银；

4）去除硅晶片表面的防反射层以及N型结：在室温下，将步骤3）中已经去除铝和银的硅晶片洗干净，放入混合酸水溶液中，所述混合酸水溶液中含有体积分数为39%~41%的HNO₃和体积分数为5.5%~6.5%的HF，硅晶片在混合酸水溶液中反应75min以上，得到纯净的硅晶片。

进一步的，步骤1）的具体操作为：将晶体硅太阳能电池片用超声波清洗干净后用去离子水冲洗，得到干净的硅晶片。

进一步的，步骤2）的具体操作为：在室温条件下，将干净的硅晶片放入体积分数为20%~40%的HCl溶液中，反应时间为30min，去除硅晶片背面的铝涂层。

进一步的，步骤2）中：所述HCl溶液的体积分数为20%，在所述HCl溶液中加入脂肪醇聚氧乙烯醚，添加量为0.5g/L。

进一步的，步骤2）中：在所述HCl溶液中加入十二烷基苯磺酸钠，添加量为0.5g/L。

进一步的，步骤3）的具体操作为：在室温下，将步骤2）中已经去除铝的硅晶片清洗干净，放入体积分数为35%-40%的HNO₃溶液中，反应时间为20min，去除硅晶片正面的银栅线。

进一步的，步骤3）中：所述HNO₃溶液的体积分数为35%，在所述硝酸溶液中加入十二烷基苯磺酸钠，添加量为0.5g/L。

进一步的，步骤4）中在所述混合酸水溶液中加入六亚甲基四胺，添加量为1g/L 。

本发明的有益效果：