[发明专利]基于双F-P腔的高温剪应力传感器及其制备方法

权利要求书

1.基于双F-P腔的高温剪应力传感器，其特征在于，主要包括基底(1)、结构层(2)、前置光纤(3)和后置光纤(4)；所述结构层(2)上有前置F-P腔(5)，后置F-P腔(6)，前置敏感膜片(7)，后置敏感膜片(8)及隔板(9)，前置F-P腔(5)和后置F-P腔(6)相对隔板(9)位置对称，前置敏感膜片(7)置于前置F-P腔(5)上，后置敏感膜片(8)置于后置F-P腔(6)上；前置敏感膜片(7)与后置敏感膜片(8)表面平齐，隔板(9)则凸起于该表面；前置光纤(3)和后置光纤(4)分别安装在与前置F-P腔(5)和后置F-P腔(6)中心位置对应的基底(1)的下方，用于传导压力信息。

2.如权利要求1所述的基于双F-P腔的高温剪应力传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在洁净的基片(2)上溅射一层金属(10)，作为刻蚀掩膜；

2)在金属(10)表面旋涂光刻胶(11)，光刻显影，形成刻蚀窗口；

3)以光刻胶(11)为掩膜，湿法腐蚀金属(10)，形成前置F-P腔和后置F-P腔的刻蚀窗口；

4)以金属(10)和光刻胶(11)为刻蚀掩膜，刻蚀基片(2)；

5)对基片(2)和基片(1)进行表面处理，键合形成前置F-P腔和后置F-P腔的腔体；

6)将基片(2)的另一面进行减薄抛光，直至厚度达到设计要求；

7)在基片(2)的抛光面上溅射一层金属(13)，作为刻蚀掩膜；

8)在金属(13)上旋涂光刻胶(14)，光刻显影，形成刻蚀窗口；

9)以光刻胶(14)为掩膜，湿法腐蚀金属(13)，形成隔板刻蚀掩膜；

10)以金属(13)和光刻胶(14)为掩膜，刻蚀基片(2)，形成隔板(9)；

11)湿法去除光刻胶(14)，湿法腐蚀金属(13)，形成传感器敏感元件。