[发明专利]一种应用于跨阻放大器的补偿结构

权利要求书

1.一种应用于跨阻放大器的补偿结构，其特征在于，包括第一运算放大器(A1)和第二运算放大器(A2)，

所述补偿结构的输入信号分别连接所述第一运算放大器(A1)和第二运算放大器(A2)的输入端，所述第一运算放大器(A1)和第二运算放大器(A2)的输出端相连并作为所述补偿结构的输出端；

所述第一运算放大器(A1)构成高增益、低带宽的慢通路，所述第二运算放大器(A2)构成低增益、高带宽的快通路；

所述快通路和慢通路并联产生零点，通过调节零点的位置实现所述跨阻放大器稳定。

2.根据权利要求1所述的一种应用于跨阻放大器的补偿结构，其特征在于，所述第二运算放大器(A2)包括第三PMOS管(MP3)，第三PMOS管(MP3)栅极作为所述第二运算放大器(A2)的输入端，其漏极作为所述第二运算放大器(A2)的输出端，其源极接电源电压。

3.根据权利要求1或2所述的一种应用于跨阻放大器的补偿结构，其特征在于，所述第一运算放大器(A1)包括第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)和第四PMOS管(MP4)，

第一PMOS管(MP1)的栅极作为所述第一运算放大器(A1)的输入端，其漏极连接第二PMOS管(MP2)的源极，其源极接电源电压；第二PMOS管(MP2)的栅极接偏置电压；

第四PMOS管(MP4)的源极作为所述第一运算放大器(A1)的输出端，其栅极连接第二PMOS管(MP2)的漏极，其漏极接地。

4.根据权利要求3所述的一种应用于跨阻放大器的补偿结构，其特征在于，所述补偿结构还包括偏置模块，所述偏置模块包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第一电流源(I₁)、第二电流源(I₂)和偏置电压源(V_B)，

第一电流源(I₁)的正极接电源电压，其负极接第三NMOS管(MN3)的栅极和漏极以及第一NMOS管(MN1)的栅极，第一NMOS管(MN1)的漏极连接所述第二PMOS管(MP2)的漏极，第一NMOS管(MN1)和第三NMOS管(MN3)的源极接地；

第二电流源(I₂)的正极接电源电压，其负极接第四NMOS管(MN4)的栅极和漏极以及第二NMOS管(MN2)的栅极，第二NMOS管(MN2)的漏极接所述第二PMOS管(MP2)的源极，第二NMOS管(MN2)和第四NMOS管(MN4)的源极接地；

偏置电压源(V_B)接在所述第二PMOS管(MP2)的栅极和地之间。