[发明专利]一种振荡器在审
申请号: | 201710576814.3 | 申请日: | 2017-07-14 |
公开(公告)号: | CN107181465A | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 赵伟兵 | 申请(专利权)人: | 珠海市一微半导体有限公司 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 519000 广东省珠海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 振荡器 | ||
〖技术领域〗
本发明涉及集成电路技术领域,具体涉及一种振荡器。
〖背景技术〗
时钟信号是集成电路的普遍需求,一般通过外挂晶体振荡器或者内置RC振荡器来产生时钟信号,外挂晶体振荡器无疑增加了电子系统的整体成本,因此,在一些时钟精度要求适中的场合,常常内置RC振荡器,并且通过相应的温度补偿措施来保证时钟稳定性。
授权公告号为CN102931913B的发明专利公开的一种现有技术,通过OPA、R5、C1构成的一阶积分器比较Vr和Vosc电压的差别,来调整比较器的基准电压Vb,达到动态补偿因温度引起的比较器延迟,从而保证了振荡器频率的温度特性。现有技术通过电压比较器来比较电容电压Vosc与参考电压Vb,受电压比较器的限制,一般只能实现几百kHz以内的振荡频率,更高频率则需要耗费相当大的电流。
〖发明内容〗
为解决以上问题,本发明提供了一种高精度振荡器,可以实现较高的振荡频率。本发明的具体技术方案如下:
一种振荡器,包括:
偏置电压产生模块,用于接入参考电流,并分别输出连接至电流比较模块和振荡主体模块,为电流比较模块和振荡主体模块提供偏置电压;
所述电流比较模块,用于输出连接至外部并向外部提供时钟信号,以及输出连接至所述振荡主体模块,向所述振荡主体模块提供充放电控制信号;
所述振荡主体模块,接收所述充放电控制信号,并输出连接至所述电流比较模块,为所述电流比较模块提供振荡信号。
进一步地,所述偏置电压模块包括:
第一MOS管,所述第一MOS管的漏极接入参考电流,源极接地,栅极连接至偏置电阻的第一端;
第二MOS管,所述第二MOS管的栅极接入参考电流,源极接地,漏极则连接第三MOS管的漏极和栅极以及第四MOS管的栅极,并作为所述偏置电压模块的偏置电压输出端,所述偏置电压输出端分别连接至所述电流比较模块和所述振荡主体模块;
第三MOS管,所述第三MOS管的栅极连接所述第四MOS管的栅极,源极连接供电电源;
第四MOS管,所述第四MOS管的源极连接供电电源,漏极连接所述偏置电阻的第一端;
偏置电阻,所述偏置电阻的第二端接地;
其中,所述第一MOS管和所述第二MOS管为N沟道场效应管,所述第三MOS管和所述第四MOS管为P沟道场效应管。
进一步地,所述偏置电压模块包括:
第一MOS管,所述第一MOS管的漏极接入参考电流,源极连接供电电源,栅极连接至偏置电阻的第一端;
第二MOS管,所述第二MOS管的栅极接入参考电流,源极连接供电电源,漏极则连接第三MOS管的漏极和栅极以及第四MOS管的栅极,并作为所述偏置电压模块的偏置电压输出端,所述偏置电压输出端分别连接至所述电流比较模块和所述振荡主体模块;
第三MOS管,所述第三MOS管的栅极连接所述第四MOS管的栅极,源极接地;
第四MOS管,所述第四MOS管的源极接地,漏极连接所述偏置电阻的第一端;
偏置电阻,所述偏置电阻的第二端连接供电电源;
其中,所述第一MOS管和所述第二MOS管为P沟道场效应管,所述第三MOS管和所述第四MOS管为N沟道场效应管。
进一步地,所述偏置电阻为一个零温度系数电阻,或者由一个正温度系数电阻和一个负温度系数电阻串联或者并联而成的电阻组。
进一步地,所述电流比较模块包括:
第五MOS管,所述第五MOS管的栅极连接所述偏置电压产生模块的偏置电压输出端,源极连接供电电源,漏极连接第八MOS管的漏极并作为所述电流比较模块的第一充放电控制信号输出端,连接至所述振荡主体模块的第一充放电控制信号输入端,以及作为连接外部的第一时钟信号输出端;
第八MOS管,所述第八MOS管的源极接地,栅极作为所述电流比较模块的第一振荡信号输入端,连接至所述振荡主体模块的第一振荡信号输出端;
第七MOS管,所述第七MOS管的栅极连接所述偏置电压产生模块的偏置电压输出端,源极连接供电电源,漏极连接第九MOS管的漏极并作为所述电流比较模块的第二充放电控制信号输出端,连接至所述振荡主体模块的第二充放电控制信号输入端,以及作为连接外部的第二时钟信号输出端;
第九MOS管,所述第九MOS管的源极接地,栅极作为所述电流比较模块的第二振荡信号输入端,连接至所述振荡主体模块的第二振荡信号输出端;
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