[发明专利]一种TD‑LTE微波功率放大器

权利要求书

1.一种TD-LTE微波功率放大器，其特征在于：它包括用于接收来自施主基站的下行信号的施主天线、用于将施主天线接收到的下行信号通过主控制器输送至基带解码同步模块进行解码处理后再返回至主控制器进行信号换算处理并对主控制器输出的下行信号进行放大处理的下行放大链路、用于将下行放大链路输出的下行信号对外输送并同时接收来自通信终端的上行信号的重发天线以及用于将重发天线接收到的上行信号通过主控制器输送至基带解码同步模块进行解码处理后再返回至主控制器进行信号换算处理并对主控制器输出的上行信号进行放大处理的上行放大链路，所述施主天线将上行放大链路输出的上行信号输送至施主基站。

2.如权利要求1所述的一种TD-LTE微波功率放大器，其特征在于：所述上行放大链路包括通过射频电缆顺序串接的一上行第一功率放大开关模组、一上行射频信号衰减模组、一上行第二功率放大开关模组和一对数检波模组，所述对数检波模组的两端并联有一上行射频肖特基二极管模组，所述上行第一功率放大开关模组的输入端连接重发天线，所述对数检波模组的输出端和上行射频肖特基二极管模组的输出端同时通过一上行双运算放大模组与主控制器相连，且所述上行射频肖特基二极管模组同时连接施主天线；

所述下行放大链路包括通过射频电缆顺序串接的一下行第一功率放大开关模组、一下行射频信号衰减模组和一下行第二功率放大开关模组，所述下行第一功率放大开关模组的输入端连接施主天线，所述下行第二功率放大开关模组的输出端连接重发天线并同时通过顺序串接的下行射频肖特基二极管模组和下行双运算放大模组与下行射频信号衰减模组相连。

3.如权利要求2所述的一种TD-LTE微波功率放大器，其特征在于：它还包括用于将施主天线与上行射频肖特基二极管模组的输出端和下行第一功率放大开关模组的输入端相连并受控于主控制器的第一同步控制开关以及用于将重发天线与上行第一功率放大开关模组的输入端与下行第二功率放大开关模组的输出端相连并受控于主控制器的第二同步控制开关。

4.如权利要求2所述的一种TD-LTE微波功率放大器，其特征在于：所述主控制器包括一可编程逻辑器，所述基带解码同步模块包括一基带解码芯片，所述基带解码芯片通过一MINI-PCIE连接器与可编程逻辑器相连。

5.如权利要求1所述的一种TD-LTE微波功率放大器，其特征在于：所述施主天线为八木天线或壁挂板状天线，所述重发天线为鞭状橡皮天线。

6.如权利要求1-5中任一项所述的一种TD-LTE微波功率放大器，其特征在于：它还包括一由金属材料制成的密闭外壳以及至少一块封装于密闭外壳内以用于将上行放大链路、下行放大链路、主控制器和基带解码同步模块集成为一体的集成控制板，所述密闭外壳上设置有分别用于供施主天线和重发天线装配并与集成控制板相连的天线接头。

7.如权利要求6所述的一种TD-LTE微波功率放大器，其特征在于：所述集成控制板上还集成有一分别向上行放大链路、下行放大链路、主控制器和基带解码同步模块供电的电源适配模块，所述密闭外壳上装设有一与电源适配模块电连接的电源接口。

8.如权利要求7所述的一种TD-LTE微波功率放大器，其特征在于：所述密闭外壳上还设置有若干个与集成控制板相连并受控于主控制器的状态指示灯。