[发明专利]手机整机防水处理方法

权利要求书

1.手机整机防水处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、塑胶后盖防水结构的制作步骤：

A1、将预定量的固态硅胶原料放入注料孔中；

A2、挤压所述注料孔中的固态硅胶原料使之流动，通过进胶通道流入放置有后盖的模具内的防水结构型腔中；

A3、使流动性固态硅胶在所述模具内受高温而发生硫化反应，最终在后盖上一体成型为硅胶防水结构；

B、铝合金壳体防水结构的制作步骤：

B1、在铝合金壳体需防水的部位进行纳米孔加工处理形成纳米孔表面；

B2、将硅胶原料注入放置有铝合金壳体的模具内的防水结构型腔中，使硅胶通过一体注塑成型方式与铝合金壳体的纳米孔表面紧密结合形成一体式结构；

C、主板和电池防水处理步骤：利用真空气相沉积的方式在主板和电池上镀一层聚对二甲苯纳米膜；采用的真空镀膜机配置有蒸发室、热解室、沉积室及冷阱；镀膜材料在蒸发室内经过120℃～180℃的加热气化后，进入热解室，热解室的温度设置在620℃～780℃，气化的材料在此室内将裂解成具有反应活性的单体，最后进入沉积室中，沉积室室内压力小于0.1Torr；

D、壳体、后盖和触摸屏玻璃的防水处理步骤：对壳体、后盖与玻璃在35℃～46℃烘烤，之后再进行离子轰击，然后在外壳与屏幕玻璃镀透明防水膜；镀膜分两层，底层采用二氧化硅或氧化铝，厚度为10～30nm；顶层采用杜恩公司出品的SH-HT VACO防水药、日本大金公司出品的T261-20防水药或韩国CEKO公司出品的CK-TAF-05防水药，膜厚度为10～30nm；

E、整机组装。

2.根据权利要求1所述的手机整机防水处理方法，其特征在于：所述步骤A中，在进行步骤A3后，使所述模具的上模部分从支撑产品的下模部分向上分离，并通过所述下模部分中设置的顶出机构将带有所述硅胶防水结构件的后盖从所述下模部分向上顶出。

3.根据权利要求1所述的手机整机防水处理方法，其特征在于：所述步骤C中镀膜的膜层厚度为3～5微米。

4.根据权利要求1所述的手机整机防水处理方法，其特征在于：所述聚对二甲苯纳米膜为N型的膜材料。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的手机整机防水处理方法，其特征在于：所述步骤D的镀膜方式是电阻式蒸发镀膜或电子束蒸发镀膜，镀膜时真空腔室压力小于0.00003Torr。