[发明专利]光罩、形成间隔物结构的方法以及形成液晶面板的方法有效

专利信息
申请号: 201710549600.7 申请日: 2017-07-07
公开(公告)号: CN107092160B 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 刘永振 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G03F1/50 分类号: G03F1/50;G02F1/1339;G03F1/54;G03F1/34;G02F1/1368
代理公司: 北京市立康律师事务所 11805 代理人: 梁挥;孟超
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 形成 间隔 结构 方法 以及 液晶面板
【权利要求书】:

1.一种光罩,其特征在于,该光罩为二元光罩,包括:

一第一开口区;以及

一第二开口区,其中该第一开口区与该第二开口区分别具有长度与宽度的比值或长轴与短轴的比值大于或等于1.25的几何形状,且该第一开口区的面积大于该第二开口区的面积;

其中,当该第二开口区的宽度或短轴为7微米时,该第一开口区的宽度或短轴的大小介于7~13微米之间;当该第一开口区的宽度或短轴的大小介于7~13微米之间时,该第一开口区的长度或长轴的大小介于8.8~39微米之间。

2.如权利要求1所述的光罩,其特征在于,该第一开口区与该第二开口区的几何形状为椭圆形、矩形与平行四边形至少其中之一。

3.如权利要求1所述的光罩,其特征在于,该第一开口区的宽度或短轴大于第二开口区的宽度或短轴且该第一开口区的长度或长轴大于或等于第二开口区的长度或长轴,或者该第一开口区的宽度或短轴等于第二开口区的宽度或短轴且该第一开口区的长度或长轴大于第二开口区的长度或长轴。

4.如权利要求3所述的光罩,其特征在于,当该第一开口区的宽度或短轴大于该第二开口区的宽度或短轴时,该第一开口区的宽度或短轴与该第二开口区的宽度或短轴的比值大于9/7。

5.如权利要求1所述的光罩,其特征在于,当该第二开口区的宽度或短轴为7微米时,该第二开口区的长度或长轴大于或等于8.8微米。

6.一种利用权利要求1所述的光罩形成间隔物结构的方法,其特征在于,包括:

提供一二元光罩;

通过该二元光罩的第一开口区和第二开口区将光线投射到感光材料上,分别形成一第一间隔物以及一第二间隔物,其中该第一间隔物具有与该第一开口区的长度与宽度的比值或长轴与短轴的比值相对应的几何形状,该第二间隔物具有与该第二开口区的长度与宽度的比值或长轴与短轴的比值相对应的几何形状,且该第一间隔物与该第二间隔物之间具有一高度差;

该第一间隔物的面积大于该第二间隔物的面积,且该第一间隔物的高度大于该第二间隔物的高度,该第一间隔物与该第二间隔物的该高度差与该第一间隔物及该第二间隔物之间的面积比值呈正相关性。

7.如权利要求6所述的形成间隔物结构的方法,其特征在于,该第一间隔物与该第二间隔物的该高度差介于0.15~0.75微米之间。

8.如权利要求6所述的形成间隔物结构的方法,其特征在于,该第一开口区的长度与宽度的比值或长轴与短轴的比值大于等于1.5,该第二开口区的长度与宽度的比值或长轴与短轴的比值为1.25时,该第一间隔物及该第二间隔物的高度差在0.15~0.2微米或0.2~0.25微米之间。

9.如权利要求6所述的形成间隔物结构的方法,其特征在于,该第一开口区的长度与宽度的比值或长轴与短轴的比值大于1.8,该第二开口区的长度与宽度的比值或长轴与短轴的比值为1.25时,该第一间隔物及该第二间隔物的该高度差控制在0.3~0.35微米或0.45~0.5微米之间。

10.如权利要求6所述的形成间隔物结构的方法,其特征在于,该第二开口区的宽度或短轴为7微米,该第一开口区的宽度或短轴由9微米增加至11微米时,该第一间隔物及该第二间隔物的该高度差由0.4~0.45微米增加至0.45~0.5微米或由0.6~0.65微米增加至0.7~0.75微米。

11.如权利要求6所述的形成间隔物结构的方法,其特征在于,该第一开口区的宽度或短轴与该第二开口区的宽度或短轴等于7微米,且该第一开口区的长度与宽度的比值或长轴与短轴的比值由1.5增加至1.8时,该第一间隔物及该第二间隔物的该高度差由0.15~0.2微米增加至0.3~0.35微米或由0.2~0.25微米增加至0.45~0.5微米。

12.一种形成液晶面板的方法,其特征在于,包括:

提供一薄膜电晶体阵列基板、一液晶层以及一彩色滤光片基板;

提供采用权利要求6所述的形成间隔物结构的方法所形成第一间隔物和第二间隔物;

其中该第一间隔物与该第二间隔物设置于该彩色滤光片基板上,用以间隔该薄膜电晶体阵列基板与该彩色滤光片基板。

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