[发明专利]DC/DC开关变换器功率输出晶体管集成驱动电路

权利要求书

1.一种用于DC/DC开关变换器功率输出晶体管驱动的集成驱动电路(200)，包括：

用于高位驱动控制信号输入缓冲的高位驱动前级缓冲器(260)，用于信号电位举高的自举电容C_BOOT，用于信号耦合的电容耦合驱动电路(230)，用于高位缓冲驱动信号u_DRP反向的第二反相器(268)；

高位驱动控制信号即第二脉宽调制信号从高位驱动前级缓冲器(260)的输入端子输入；高位驱动前级缓冲器(260)输出高位缓冲驱动信号u_DRP至自举电容C_BOOT的负极板，同时高位驱动前级缓冲器(260)输出高位缓冲驱动信号u_DRP至第二反相器(268)的输入端子；

自举电容C_BOOT的正极板和电容耦合驱动电路(230)的第一输入端子电连接；第二反相器(268)的输出端和电容耦合驱动电路(230)的第二输入端子电连接；电容耦合驱动电路(230)的第三输入端子用于接入外部第三外部输入电源VREG的第三直流电压信号u_REG；电容耦合驱动电路(230)的第一输出端子与高位N型电力晶体管VT_h栅极电连接，电容耦合驱动电路(230)的第二输出端子与高位N型电力晶体管VT_h源极电连接；

第二反相器(268)、自举电容C_BOOT和电容耦合驱动电路(230)协同工作，将高位缓冲驱动信号u_DRP的信号电位抬高，在高位N型电力晶体管VT_h导通后，能使电容耦合驱动电路(230)的第一输出端子持续提供合适电位的高位N型电力晶体管VT_h栅极驱动信号，即高位驱动信号u_GP；

所述电容耦合驱动电路(230)包括第一开关K1、第二开关K2、第一耦合电容C_BC1和第二N型MOS管Q2；

第二开关K2的一端用作电容耦合驱动电路(230)的第三输入端子，即接入第三外部输入电源VREG的第三直流电压信号u_REG；第二开关K2的另一端和第一开关K1的一端电连接，同时该第二开关K2的另一端还用作电容耦合驱动电路(230)的第一输入端子，该第一输入端子和自举电容C_BOOT的正极板电连接，接入耦合驱动电路控制信号u_VBOOT；第一开关K1的另一端用作电容耦合驱动电路(230)的第一输出端子，输出高位N型电力晶体管VT_h栅极驱动信号u_GP至高位N型电力晶体管VT_h的栅极；同时，该第一开关K1的另一端还和第二N型MOS管Q2的漏极电连接；耦合驱动电路控制信号u_VBOOT和输入第一直流电压信号u_P1共同控制所述第一开关K1的开关；

第二N型MOS管Q2的源极用作电容耦合驱动电路(230)的第二输出端子与高位N型电力晶体管VT_h的源极电连接；第二N型MOS管Q2的栅极和第一耦合电容C_BC1的一端电连接；第一耦合电容C_BC1的另一端用作电容耦合驱动电路(230)的第二输入端子，和第二反相器(268)的输出端电连接；

第二开关K2的一端从自举电容C_BOOT正极板接入耦合驱动电路控制信号u_VBOOT，第二开关K2的另一端接入第三直流电压信号u_REG，耦合驱动电路控制信号u_VBOOT和第三直流电压信号u_REG共同控制第二开关K2的开关；

所述第一开关K1为第一P型MOS管Q1，第一P型MOS管Q1的栅极和高位N型电力晶体管VT_h的漏极电连接，第一P型MOS管Q1的漏极和第二N型MOS管Q2的漏极电连接，第一P型MOS管Q1的源极用作电容耦合驱动电路(230)的第一输入端子；

第一P型MOS管Q1的源极与自举电容C_BOOT的正极板电连接，接入耦合驱动电路控制信号u_VBOOT；第一P型MOS管Q1的栅极接入第一直流电压信号u_P1；耦合驱动电路控制信号u_VBOOT和第一直流电压信号u_P1共同控制第一P型MOS管Q1的开关状态；

所述第二开关K2包括第四N型MOS管Q4、第二耦合电容C_BC2和第二二极管D2，第二二极管D2的正极用作电容耦合驱动电路(230)的第三输入端子，接入第三外部输入电源VREG的第三直流电压信号u_REG；同时，第二二极管D2的正极和第四N型MOS管Q4的源极电连接；第二二极管D2的负极和第四N型MOS管Q4的栅极电连接；第四N型MOS管Q4的栅极还和第二耦合电容C_BC2的一端电连接；第二耦合电容C_BC2的另一端和第一耦合电容C_BC1的一端电连接，该第二耦合电容C_BC2的另一端用作电容耦合驱动电路(230)的第二输入端子，该第二耦合电容C_BC2的另一端和第二反相器(268)的输出端子电连接；第四N型MOS管Q4的漏极用作电容耦合驱动电路(230)的第一输入端子，和自举电容C_BOOT的正极板电连接，接入耦合驱动电路控制信号u_VBOOT；耦合驱动电路控制信号u_VBOOT和第三直流电压信号u_REG共同控制所述第二开关K2的开关状态。