[发明专利]一种温度监控和保护装置及方法

权利要求书

1.一种温度监控和保护装置，其特征在于，包括：

温敏电阻RT2，置于待测设备之中或紧贴其表面设置，与可调电阻RP构成VCC到地的分压电路；

温敏电阻RT1，置于待测设备外围环境中，与固定电阻R1构成VCC到地的分压电路；

比较器U1，其一个输入端连接温敏电阻RT2与可调电阻RP的连接端，其另一个输入端连接温敏电阻RT1与固定电阻R1的连接端；其输出端连接跟随器U2的同相输入端；

N型MOSFET开关Q1，其栅极连接比较器U1的输出端并通过电阻R2连接到地，漏极和源极分别连接到R1的两端；

跟随器U2，其输出端通过MOSFET开关Q2连接电路控制开关。

2.根据权利要求1所述的一种温度监控和保护装置，其特征在于，当温敏电阻RT1和温敏电阻RT2为负温度系数时，所述比较器U1的同相输入端连接温敏电阻RT2与可调电阻RP的连接端，其反向输入端连接温敏电阻RT1与固定电阻R1的连接端；

当所述温敏电阻RT1和温敏电阻RT2为正温度系数时，所述比较器U1的反相输入端连接温敏电阻RT2与可调电阻RP的连接端，其同向输入端连接温敏电阻RT1与固定电阻R1的连接端。

3.根据权利要求1所述的一种温度监控和保护装置，其特征在于，N型MOSFET开关Q2的栅极连接跟随器U2的输出端，其源极接地，其漏极接到继电器K1的控制负端，K1的控制正端接VCC，公共端接电子设备的供电电压VCC1，常开端悬空，常闭端连接到电子设备的电源输入端。

4.根据权利要求1所述的一种温度监控和保护装置，其特征在于，所述比较器U1的输出端通过开关S1连接到N型MOSFET开关Q1的栅极。

5.根据权利要求1所述的一种温度监控和保护装置，其特征在于，所述N型MOSFET开关Q1的栅级还通过固定电阻R2接地。

6.一种温度监控和保护方法，其特征在于，包括：将温敏电阻RT2与可调电阻RP、温敏电阻RT1与固定电阻R1分别构成供电电压VCC到地的分压电路，将可调电阻RP、固定电阻R1的分压分别引入比较器U1的同向输入端，将可调电阻RP的阻值调整至小于固定电阻R1，利用待测设备温度升高导致的比较器U1的输出反转控制开关Q2的导通进而控制电路开关的开启与闭合。

7.根据权利要求5所述的一种温度监控和保护方法，其特征在于，将比较器U1的输出端引至跟随器U2的同相输入端，将跟随器U2输出端通过MOSFET开关Q2连接继电器K1，通过MOSFET开关Q2控制继电器K1的开闭。

8.根据权利要求5所述的一种温度监控和保护方法，其特征在于，将固定电阻R1的两端连接至N型MOSFET开关Q1的漏极和源极；

并且当待测电子设备断电后，保持或断开比较器U1的输出端与N型MOSFET开关Q1的栅级连接以永久性或临时性切断电子设备电源。