[发明专利]高温超导薄膜纳米桥结制备方法在审
| 申请号： | 201710531385.8 | 申请日： | 2017-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN107275472A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 芦佳;颜雷;丁洪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所11497 | 代理人： | 黄小临,冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高温 超导 薄膜 纳米 制备 方法 | ||
1.一种制备高温超导薄膜纳米桥结的方法，包括：
提供掩模板，所述掩模板具有用于定义将要形成的高温超导薄膜纳米桥结的形状的开口图案；
用所述掩模板覆盖衬底；
在所述掩模板上沉积高温超导材料的薄膜；
移除所述掩模板，从而得到形成在所述衬底上的、具有所述掩模板的开口图案定义的形状的高温超导薄膜纳米桥结；以及
对所述高温超导薄膜纳米桥结进行微加工处理以获得所需的桥宽度。
2.如权利要求1所述的制备高温超导薄膜纳米桥结的方法，其中，所述掩模板由金属例如不锈钢、钼铜和钽制成。
3.如权利要求1所述的制备高温超导薄膜纳米桥结的方法，其中，所述掩模板的厚度在0.02mm至1mm的范围。
4.如权利要求1所述的制备高温超导薄膜纳米桥结的方法，其中，所述掩模板还具有多个用于固定所述掩模板的孔洞。
5.如权利要求4所述的制备高温超导薄膜纳米桥结的方法，其中，所述衬底设置在沉积样品台上，所述掩模板覆盖在所述衬底上并且通过所述孔洞由螺栓固定到所述沉积样品台上。
6.如权利要求1所述的制备高温超导薄膜纳米桥结的方法，其中，用所述掩模板覆盖衬底的步骤包括：
使所述掩模板直接接触所述衬底；或者
使所述掩模板与所述衬底之间间隔开一距离。
7.如权利要求1所述的制备高温超导薄膜纳米桥结的方法，其中，在所述掩模板上沉积高温超导材料的薄膜的步骤还包括在所述高温超导材料的薄膜上沉积金属保护层。
8.如权利要求1所述的制备高温超导薄膜纳米桥结的方法，其中，对所述高温超导薄膜纳米桥结进行微加工处理包括用聚焦离子束来蚀刻所述高温超导薄膜纳米桥结。
9.如权利要求8所述的制备高温超导薄膜纳米桥结的方法，其中，所述聚焦离子束利用扫描电子显微镜图像定位到所述高温超导薄膜纳米桥结上的需要被蚀刻的位置处。
10.如权利要求1所述的制备高温超导薄膜纳米桥结的方法，其中，所述桥宽度在1nm至1μm的范围。
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