[发明专利]一种用于高纯硅生产的新型破碎装置

说明书

技术领域

本发明涉及破碎设备技术领域，具体为一种用于高纯硅生产的新型破碎装置。

背景技术

高纯硅料是指含硅量比较高的硅材料，这是硅行业内最新的一种产品分类，具体包括：高纯石英砂、高纯石英粉、打砣砂、光纤硅料、合成硅料、精细硅料等等。高纯硅的制备一般首先由硅石制得工业硅（粗硅），再制成高纯的多晶硅，最后拉制成半导体材料硅单晶。其生产工艺过程是：将粗硅破碎后，依次用盐酸、王水、（HF+H2SO4）混合酸处理，最后用蒸馏水洗至中性，烘干后可得含量为99.9%的工业粗硅。

对粗硅的破碎一般多是使用破碎机进行破碎，但是硅石的硬度大，若沿用其他矿物直接进行破碎的方法，需要大功率的破碎设备，这样的设备必然体积大、能耗高、效率低。

发明内容

本发明解决的技术问题在于克服现有技术的要求设备功率大，体积大，能耗大，噪音大的缺陷，提供一种用于高纯硅生产的新型破碎装置。所述一种用于高纯硅生产的新型破碎装置具有提高破碎效率、减少设备故障率、降低破碎成本等特点。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种用于高纯硅生产的新型破碎装置，包括支架，所述支架上方设置有滚筒，所述滚筒内壁设置有加热板，所述滚筒外壁设置有进料斗，所述滚筒外壁一侧转动连接有支撑杆，所述支撑杆固定连接于支架，所述滚筒外壁另一侧设置有轴承，所述轴承内圈插接有转轴，所述转轴外壁表面设置有螺旋叶片，且所述转轴一端固定连接有电机的输出轴，所述电机固定连接于支架，所述电机外壁套接有第一连接件，所述第一连接件右侧设置有第二连接件，所述第二连接件固定连接于滚筒上，所述滚筒右侧下方开设有原料出料口，所述原料出料口下方设置有冷却装置，所述冷却装置下方设置有破碎装置，所述破碎装置包括机壳，所述机壳上部右侧与下部左侧分别开设有进料口和出料口，所述机壳内腔设置有两个相互贯通的破碎室，所述破碎室内壁均固定连接有相对应的研磨板，所述破碎室内腔均设置有转子，所述转子外壁均设置有若干锤片，且所述转子之间设置有筛网，所述筛网两端分别固定连接于破碎室侧壁。

优选的，所述冷却装置包括料箱和喷头，所述喷头固定连接有横杆，所述横杆远离喷头的一端固定连接有电动伸缩杆，所述电动伸缩杆远离横杆的一端固定连接于支架上，所述料箱侧壁开设有若干出水孔，且所述料箱左右侧壁均固定连接有连接杆，一根所述连接杆远离料箱的一端转动连接于支架，另一根所述连接杆远离料箱的一端固定连接有摆动气缸，所述摆动气缸固定连接有支架。

优选的，所述第一连接件包括第一固定圈，所述第一固定圈外壁固定连接有若干凸块，所述凸块滑动连接有第一电磁铁，所述第一电磁铁一侧固定连接有弹簧，所述弹簧远离第一电磁铁的一端固定连接于第一固定圈，所述第二连接件包括第二电磁铁，所述第二电磁铁固定连接有第二固定圈，所述第二固定圈固定连接于滚筒侧壁。

优选的，所述进料斗可折叠。

优选的，所述外壳底部设置有若干支脚，所述支脚套接有弹簧，且所述支脚底部开设有若干凹槽。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本装置大大提高破碎效率、减少设备故障率、降低破碎成本；通过在破碎装置前设置有加热装置与冷却装置，对粗硅进行预处理，使粗硅硬度降低，从而能够减轻破碎压力，提高破碎效率；在冷却过程中，使用喷淋法冷却，与浸泡相比，能够避免表面产生的水泡影响内部冷却效果，从而能够提高粗硅内部变软速度，提高后续破碎效率。

附图说明

图1为本发明结构示意图。

图2为图1中A部位的局部放大图。

图中标号：1、支架，2、滚筒，3、支撑杆，4、轴承，5、转轴，6、螺旋叶片，7、电机，8、第一连接件，81、第一固定圈，82、凸块，83、第一电磁铁，84、弹簧，9、第二连接件，91、第二电磁铁，92、第二固定圈，10、原料出料口，11、冷却装置，111、料箱，112、喷头，113、横杆，114、电动伸缩杆，115、出水孔，116、连接杆，117、摆动气缸，12、破碎装置，121、机壳，122、进料口，123、出料口，124、破碎室，125、研磨板，126、转子，127、锤片，128、筛网，13、支脚，14、加热板，15、进料斗。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。