[发明专利]电平转换电路有效

专利信息
申请号: 201710530703.9 申请日: 2017-06-30
公开(公告)号: CN107342763B 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 陈婷;谢俊杰;姜黎;喻彪;周倩 申请(专利权)人: 湖南国科微电子股份有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 深圳市中原力和专利商标事务所(普通合伙) 44289 代理人: 罗小辉
地址: 410125 湖南省长沙市*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 电平 转换 电路
【权利要求书】:

1.一种电平转换电路,其特征在于,所述电平转换电路包括:

MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11以及MOS管M12;其中

所述MOS管M1的源极与所述MOS管M2的源极连接并连接电源VDD,栅极与输入端vinn连接,漏极与所述MOS管M3的漏极连接;

所述MOS管M2的源极连接电源VDD,栅极与输入端vinp连接,漏极与所述MOS管M4的漏极连接;

所述MOS管M3的源极与所述MOS管M4的源极连接并连接负电平VNEG1,栅极与所述MOS管M5的栅极连接;

所述MOS管M4的栅极与所述MOS管M3的漏极连接,源极还与所述MOS管M7的源极连接;

所述MOS管M5的源极与所述MOS管M6的源极连接并连接电源VSS,漏极与所述MOS管M7的漏极连接;

所述MOS管M6的源极还与所述MOS管M9的源极连接并连接电源VSS,栅极与所述MOS管M3的漏极连接,漏极与所述MOS管M8的漏极连接;

所述MOS管M7源极还与所述MOS管M8的源极连接并连接负电平VNEG1,栅极与所述MOS管M8的漏极连接;

所述MOS管M8的栅极与所述MOS管M7的漏极连接;

所述MOS管M9的源极还与所述MOS管M10的源极连接并连接电源VSS,栅极与所述MOS管M7的漏极连接,漏极与所述MOS管M11的漏极连接;

所述MOS管M10的源极连接电源VSS,栅极与所述MOS管M8的漏极连接,漏极与所述MOS管M12的漏极连接;

所述MOS管M11的源极与所述MOS管M12的源极连接并连接负电平VNEG2,栅极与所述MOS管M12的漏极连接;

所述MOS管M12的栅极与所述MOS管M11的漏极连接。

2.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,所述MOS管M1、所述MOS管M2、所述MOS管M5、所述MOS管M6、所述MOS管M9、所述MOS管M10均为PMOS管,所述MOS管M3、所述MOS管M4、所述MOS管M7、所述MOS管M8、所述MOS管M11以及所述MOS管M12均为NMOS管。

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