[发明专利]层叠芯片磁珠

说明书

本发明的一实施例提供层叠芯片磁珠，包括：主体(body)，层叠有多个第一磁性层、第二磁性层以及第三磁性层；第一外部电极及第二外部电极，形成于所述主体的高度方向的两个端面；第一线圈电极层，形成于所述第一磁性层；以及第二线圈电极层，形成于所述第二磁性层，在将包括所述第一线圈电极层及第二线圈电极层的组设定为线圈组时，所述第三磁性层配置于所述线圈组中的相邻的线圈组之间。

技术领域

本发明涉及一种层叠芯片磁珠。

背景技术

近来，随着手机等数码设备的高速化，针对所搭载的部件的高频化的必要性逐渐抬头，对作为针对噪声的对策用部件的层叠芯片磁珠而言，其对高频化的要求也在逐渐提高。

近来，这样的要求提高到GHz频段，在数GHz的高频段中，要求较高的阻抗。

为了使层叠芯片磁珠具有良好的高频特性，制作成使在外部电极与线圈电极之间产生的杂散电容(stray capacitance)较小很重要。

为了抑制层叠芯片磁珠的杂散电容，通常将线圈配置成垂直于封装面，但在将线圈配置成垂直于封装面时，为确保磁珠的性能，存在层叠数增多、要求切割的高精度、发生产品的强度下降等缺点。

[现有技术文献]

[专利文献]

(专利文献1)日本公开专利公报第1999-195608号

(专利文献2)大韩民国授权专利公报第10-1147904号

发明内容

本发明的一个目的在于，提供一种包括两个以上线圈的层叠芯片磁珠，其可以减少线圈电极之间的杂散电容。

作为用于解决所述课题的方法，本发明通过一例提供新型结构的层叠芯片磁珠，具体地说，包括：主体，层叠有多个第一磁性层、第二磁性层以及第三磁性层；第一外部电极及第二外部电极，形成于所述主体的高度方向的两个端面；第一线圈电极层，形成于所述第一磁性层；以及第二线圈电极层，形成于所述第二磁性层，在将包括所述第一线圈电极层及所述第二线圈电极层的组设定为线圈组时，所述第三磁性层配置于所述线圈组中的相邻的线圈组之间。

作为用于解决所述课题的方法，本发明通过另一例提供新型结构的层叠芯片磁珠，具体地说，包括：主体，层叠有多个第一磁性层及第二磁性层；第一外部电极及第二外部电极，形成于所述主体的高度方向的两个端面；第一线圈电极层，形成于所述第一磁性层；以及第二线圈电极层，形成于所述第二磁性层，在将包括所述第一磁性层及所述第二磁性层的组设定为线圈组时，所述第一磁性层的厚度比所述第二磁性层的厚度更厚。

根据本发明的一实施例的层叠芯片磁珠，通过增加包括第一线圈电极层及第二线圈电极层的线圈组之间的距离，可以减少线圈电极之间的杂散电容。

另外，随着根据本发明的一实施例的层叠芯片磁珠的杂散电容的减少，在高频条件下去除噪声的能力得到提高。

附图说明

图1示意性地图示根据本发明的一实施例的层叠芯片磁珠的立体图。

图2示意性地图示根据本发明的一实施例的层叠芯片磁珠的分解立体图。

图3示意性地图示沿着图1的I-I'的剖面图。

图4是示出测量根据比较例的层叠芯片磁珠以及根据本发明的一实施例的层叠芯片磁珠的、根据频率的阻抗变化的图。

图5示意性地图示根据本发明的一实施例的层叠芯片磁珠中线圈的匝数为2匝时的分解立体图。

图6示意性地图示根据本发明的一实施例的层叠芯片磁珠中线圈的匝数为2匝时的剖面图。

图7示意性地图示根据本发明的另一实施例的层叠芯片磁珠的立体图。