[发明专利]一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201710504620.2 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107342200B | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 张忻;刘洪亮;肖怡新;冯琦;张久兴 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 六硼化物场 发射 阵列 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法，其特征在于：
1)将稀土六硼化物表面进行机械抛光后进入步骤2)；
2)采用飞秒或皮秒激光器，其产生的激光束对步骤1)处理后的稀土六硼化物表面进行激光直写的去除，加工出的阵列密度为10000-100000个/mm2；具体加工参数是：在正焦条件下，激光能量密度为1-100J/cm2；激光直写速度为1-100mm/min；激光的等效脉冲个数为5-300个/min；激光直写的间隔为1-40μm。
2.根据权利要求1所述的稀土六硼化物，其特征在于，所述的单晶稀土六硼化物包括以下所列：LaB6、CeB6、PrB6、NdB6、SmB6、GdB6或YbB6。
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