[发明专利]直流电源控制电路

说明书

技术领域

本发明涉及电源控制领域，尤其涉及直流电源控制电路。

背景技术

当前大量的移动设备和物联网设备使用电池供电，功耗是这些设备需要考虑的重要因素。这类设备一般有一个CPU及若干外围元件，功耗对这些元件而言极为重要，CPU空闲时进入休眠状态，被外部操作时再唤醒，为了达到超低功耗目的，在CPU进入休眠前，需要关闭不使用的外设，在唤醒后需要重新打开外设的供电电源，这就要求CPU运行的时间尽可能短，对外围设备电源的开关要迅速，但有些外设在运行时是不能立即断电，例如闪存控制器，因为闪存控制器一般带有写入缓存，应用程序发送完数据到闪存控制器后，数据并不是立即写到闪存的，而是有一部分数据仍然存储在缓冲区，如果这个时间断电，则有部分数据能不写入闪存，因此在低功耗场合，对于闪存控制器这类的设备就产生了快速开启电源和缓慢关断电源的控制要求，然而现有的电源控制电路由于对元器件参数需求高而存在体积和成本均偏高，且不能实现快速开启的功能问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种直流电源控制电路，目的在于解决现有的直流电源控制电路无法实现满足功能需求或者存在电路体积大和成本高的问题。

为实现上述目的，本发明提供的一种直流电源控制电路，一种直流电源控制电路，其特征在于，包括控制模块、开关模块、缓冲模块和MCU，所述MCU连接所述控制模块的输入端，所述控制模块输出端连接所述开关模块的受控端，所述缓冲模块的两端分别连接所述开关模块的受控端和输出端，所述开关模块的输出端连接负载，所述开关模块的输入端连接直流电源；其中，

所述MCU输出开启信号时，通过所述控制模块控制所述开关模块导通，所述直流电源通过所述开关模块对所述负载供电；

所述MCU输出关闭信号时，所述开关模块对所述缓冲模块充电，当所述缓冲模块的电压达到触发所述开关模块关闭的预设值时，所述开关模块关闭而切断所述直流电源对所述负载的供电。

优选的，所述开关模块包括第一开关管和第一电阻；

所述开关管的输入级为所述开关模块的输入端；

所述开关管的输出级为所述开关模块的输出端；

所述开关管的控制级为所述开关模块的受控端；

所述第一电阻的两端分别连接所述第一开关管的输入端和控制级。

优选的，所述开关模块还包括第二电阻；

所述开关管的控制级连接所述第二电阻一端，所述第二电阻另一端为所述开关模块的受控端；

所述第一电阻的两端分别连接所述第一开关管的输入端和所述第二电阻另一端。

优选的，所述直流电源控制电路还包括第五电阻；

所述第五电阻一端连接开关模块的受控端，所述第五电阻另一端连接所述控制模块的输出端。

优选的，所述缓冲模块包括第一电容；

所述第一电容的一端为所述缓冲模块的一端，所述第一电容的另一端为所述缓冲模块的另一端。

优选的，所述第一开关管为P沟道MOS管，所述第一开关管的输入级为所述P沟道MOS管源级，所述第一开关管的输出级为所述P沟道MOS管漏极，所述第一开关管的控制级为所述P沟道MOS管栅极。

优选的，所述第一开关管为PNP型三极管，所述第一开关管的输入级为所述PNP型三极管发射极，所述第一开关管的输出级为所述PNP型三极管集电极，所述第一开关管的控制级为所述PNP型三极管基极。

优选的，所述控制模块包括NPN型三极管和第三电阻；

所述NPN型三极管基极连接所述第三电阻一端，所述第三电阻另一端连接所述MCU，所述NPN型三极管集电极连接所述开关模块，所述NPN型三极管集发射极接地。

优选的，所述控制模块包括第四电阻；

所述第四电阻一端连接所述NPN型三极管基极，所述第四电阻另一端连接所述NPN型三极管发射极。

优选的，所述负载为FLASH闪存。

本发明提供的直流电源控制电路，通过在开关模块的输出端和受控端并联缓冲模块，MCU通过控制模块控制开关模块的导通和关闭，通过合理选择缓冲模块的电容参数，可实现直流电源通过开关模块对负载快速供电；或者在MCU输出关闭信号时由于开关模块中的大容量电阻对缓冲模块的小容量电容充电，实现了通过控制模块能控制开关模块慢速关闭，因此实现了主流电源通过开关模块对负载慢速供电，满足了电路的功能需求，同时由于缓冲模块的电容容量小，实现了整个电路的体积减小和成本降低。

附图说明