[发明专利]智能双路低本底αβ测量仪在审

专利信息
申请号: 201710483715.0 申请日: 2017-06-23
公开(公告)号: CN107490804A 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 边华东;徐静;庞立恒;王冬;曹雷;邓涛 申请(专利权)人: 中核控制系统工程有限公司
主分类号: G01T1/202 分类号: G01T1/202
代理公司: 核工业专利中心11007 代理人: 吕岩甲
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 智能 双路低 本底 测量仪
【说明书】:

技术领域

发明属于辐射探测技术领域,具体涉及一种智能双路低本底αβ测量仪。

背景技术

二路低本底αβ测量仪具有两个独立的主探测器,可同时测量两个样品,分别给出两个样品的总α总β活度浓度。它具有灵敏度高、本底低、结构简单、操作方便、稳定可靠等特点。但是,在实际应用中,一些客户经常需要单个样品的总α总β活度浓度,这时候就需要用单路低本底αβ测量仪,一方面调换仪器不方面,另外一方面好多客户没有单路低本底,为测量带来诸多不变。这时候就需要一种既可以同时测量两个样品总α总β活度浓度,又能测量单个样品总α总β活度浓度的仪器。

发明内容

本发明的目的在于提供一种智能双路低本底αβ测量仪,既可以同时测量两个样品的总α总β射线,又能分开测量单个样品的总α总β射线,探测效率和探测精度更高;同时测量功能具有单路低本底的功能,又有双路低本底的功能。

为达到上述目的,本发明所采取的技术方案为:

一种智能双路低本底αβ测量仪,包括顶铅室、上铅室、中铅室、主探头、反符合探头、支撑板、左导板、晶体盒、支架、连接板、铅屏支架、底铅室、晶体、右导板、右抽拉板、中导板和左抽拉板;连接板上安装有支架和铅屏支架,铅屏支架位于支架的中间,铅屏支架上安装有底铅室;晶体盒安装在支架和底铅室的上面,晶体盒中安装有晶体;左导板、中导板和右导板安装在晶体盒上,左抽拉板安装在左导板和中导板之间,右抽拉板安装在中导板和右导板之间;支撑板安装在左导板、右导板和中导板上,中铅室一层层摞在支撑板上,上铅室放在中铅室上面,顶铅室放在上铅室上面;主探头安装在支撑板上,反符合探头安装在晶体盒上。

所述的连接板上螺装有支架和铅屏支架。

所述的晶体盒为椭圆形。

所述的主探头和反符合探头呈三角布局。

所述的左导板、中导板和右导板螺装在晶体盒上。

所述的支撑板螺装在左导板、右导板和中导板上。

所述的主探头螺装在支撑板上。

所述的反符合探头螺装在晶体盒上。

本发明所取得的有益效果为:

本发明满足上述需求,同时测量精度更高,体积更小,更加智能化。本发明经过国家计量院严格检定,全部性能指标符合国家规定的二级标准,好于目前国际上的同类产品;是当前国内外用闪烁法同时测量总α总β弱放射性和分别测量样品总α总β测量仪。本发明可用于辐射防护、农业科学、核电站、反应堆、同位素生产、地质勘探等领域中αβ的总活度的测量。

本发明先对晶体厚度、晶体面积、晶体槽深分别进行试验,确定相对测量精度更高的晶体结构形式。另外,对主探头和反符合探头位置进行调整,确定相对测量精度更高的位置分布,试验完成后,再分别对两个样品同时测量总α总β本底含量,测量数据与普通双路低本底αβ测量仪进行对比,数据误差在5%以内,但智能双路低本底αβ测量仪测量过程更稳定。另外,用本发明再对单独样品进行测量,测量数据与普通低本底αβ测量仪进行对比数据误差在5%以内,但智能双路低本底αβ测量仪测量过程更稳定,说明本发明有效屏蔽了宇宙射线。

附图说明

图1为智能双路低本底αβ测量仪结构图;

图中:1-顶铅室;2-上铅室;3-中铅室;4-主探头;5-反符合探头;6-支撑板;7-左导板;8-晶体盒;9-支架;10-连接板;11-铅屏支架;12-底铅室;13-晶体;14-右导板;15-右抽拉板;16-中导板;17-左抽拉板。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。

如图1所示,本发明所述智能双路低本底αβ测量仪包括顶铅室1、上铅室2、中铅室3、主探头4、反符合探头5、支撑板6、左导板7、晶体盒8、支架9、连接板10、铅屏支架11、底铅室12、晶体13、右导板14、右抽拉板15、中导板16和左抽拉板17;

连接板10上螺装有支架9和铅屏支架11,铅屏支架11位于支架9的中间,铅屏支架11上安装有底铅室12;晶体盒8安装在支架9和底铅室12的上面,晶体盒8为椭圆形,有效利用主探头4和反符合探头5三角布局的测量精度,晶体盒8中安装有晶体13;左导板7、中导板16和右导板14螺装在晶体盒8上,左抽拉板17安装在左导板7和中导板16之间,右抽拉板15安装在中导板16和右导板14之间;支撑板6螺装在左导板7、右导板14和中导板16上,中铅室3一层层摞在支撑板6上,上铅室2放在中铅室3上面,顶铅室1放在上铅室2上面;主探头4螺装在支撑板6上,反符合探头5螺装在晶体盒8上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中核控制系统工程有限公司,未经中核控制系统工程有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710483715.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top