[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201710441393.3 | 申请日: | 2017-06-13 |
公开(公告)号: | CN107527590B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 崔埈源;印闰京;黃元美;安俊勇 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | G09G3/3225 | 分类号: | G09G3/3225 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
提供了一种显示装置,所述显示装置包括:第一扫描线,在第一方向上延伸;数据线和驱动电压线,均在与第一方向交叉的第二方向上延伸;开关薄膜晶体管(“TFT”),连接到第一扫描线和数据线;驱动TFT,连接到开关TFT并且包括驱动半导体层和驱动栅电极;存储电容器,连接到驱动TFT并且包括第一存储电容器板和第二存储电容器板;节点连接线,位于数据线与驱动电压线之间并且连接到驱动栅电极;屏蔽部,位于数据线与节点连接线之间。
本申请要求于2016年6月15日提交的第10-2016-0074732号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个示例性实施例涉及一种显示装置。
背景技术
通常,显示装置包括显示元件和用于控制将被施加到显示元件的电信号的电子元件。电子元件包括薄膜晶体管(“TFT”)、存储电容器和多条布线。
为了精确地控制显示元件的发射和发射程度,电连接到一个显示元件的TFT的数量已经增加,向TFT传输电信号的多条布线的数量也已经增加。
发明内容
根据相关技术的显示装置,随着薄膜晶体管(“TFT”)的元件和/或显示装置的布线之间的间隔减小以实现微型化的或高分辨率的显示装置,诸如驱动TFT的寄生电容的缺点已经增加。
一个或更多个示例性实施例包括防止寄生电容的发生并且减少截止电流的发生的显示装置。然而,上面的实施例仅作为示例提供,发明的范围不限于此。
附加的示例性实施例将在下面的描述中部分地进行阐述,并且部分地通过描述将是明显的,或者通过呈现的示例性实施例的实践而了解。
根据一个或更多个示例性实施例,一种显示装置包括:第一扫描线,在第一方向上延伸;数据线和驱动电压线,均在与第一方向交叉的第二方向上延伸;开关TFT,连接到第一扫描线和数据线;驱动TFT,连接到开关TFT并且包括驱动半导体层和驱动栅电极;存储电容器,连接到驱动TFT并且包括第一存储电容器板和第二存储电容器板;节点连接线,连接到驱动栅电极并且布置在数据线与驱动电压线之间;屏蔽部,布置在数据线与节点连接线之间。
在示例性实施例中,显示装置还可以包括具有补偿半导体层和补偿栅电极的补偿TFT,其中,补偿薄膜TFT响应于第一扫描线的扫描信号而导通并且使驱动TFT二极管连接。
在示例性实施例中,节点连接线的一侧可以连接到补偿半导体层。
在示例性实施例中,驱动电压线可以覆盖补偿TFT的至少一部分。
在示例性实施例中,屏蔽部可以在第二方向上延伸。
在示例性实施例中,显示装置还可以包括提供初始化电压的初始化电压线,屏蔽部可以电连接到初始化电压线。
在示例性实施例中,屏蔽部可以包括屏蔽半导体层和金属屏蔽层中的至少一个,屏蔽半导体层包括与驱动半导体层的材料相同的材料,金属屏蔽层包括金属材料。
在示例性实施例中,显示装置还可以包括在第一方向上延伸并且与屏蔽部交叉的第二扫描线。
在示例性实施例中,屏蔽半导体层可以包括第一屏蔽区和第二屏蔽区,第一屏蔽区和第二屏蔽区在第二方向上彼此分隔开并且有第二扫描线位于第一屏蔽区与第二屏蔽区之间。
在示例性实施例中,第一屏蔽区可以通过导电层电连接到第二屏蔽区。
在示例性实施例中,导电层可以是金属屏蔽层。
在示例性实施例中,屏蔽半导体层可以包括多晶硅。
在示例性实施例中,金属屏蔽层可以包括与数据线、节点连接线和第二存储电容器板中的至少一个的材料相同的材料。
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