[发明专利]一种控制电路、偏置电路及控制方法在审
申请号: | 201710427073.2 | 申请日: | 2017-06-08 |
公开(公告)号: | CN107124148A | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | 马军;苏强;奕江涛;李阳 | 申请(专利权)人: | 尚睿微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H03F3/21 | 分类号: | H03F3/21;H03F1/32 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人: | 王军红,张颖玲 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 控制电路 偏置 电路 控制 方法 | ||
1.一种控制电路,其特征在于,应用于偏置电路,所述偏置电路包括:第一晶体管及第二晶体管;所述第一晶体管的栅极与第二晶体管的栅极连接;所述第一晶体管及第二晶体管用于将所述偏置电路的输入参考直流电流进行放大得到偏置直流电流,且所述第二晶体管利用所述偏置直流电流,并基于偏置电路的输入信号得到目标输出信号;所述控制电路包括:
检测电路,用于将第一直流电压与第二直流电压进行比较,得到比较结果;所述第一直流电压为第一晶体管的漏端直流电压;所述第二直流电压为第二晶体管的漏端直流电压;
调整电路,用于利用比较结果调整所述第一直流电压及第二直流电压,使得偏置电路工作中第一晶体管的漏端直流电压与第二晶体管的漏端直流电压相同。
2.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,调整电路,具体用于:
利用比较结果,控制第一晶体管和第二晶体管的导通程度,以调整第一直流电压及第二直流电压。
3.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,调整电路,具体用于:
利用比较结果,通过上拉或下拉第一晶体管和第二晶体管的栅极直流电压,控制第一晶体管和第二晶体管的导通程度,以调整第一直流电压及第二直流电压。
4.一种偏置电路,其特征在于,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、控制电路、电压生成电路;其中,
所述第一晶体管的栅极与第二晶体管的栅极连接;所述第一晶体管及第二晶体管用于将所述偏置电路的输入参考直流电流进行放大得到偏置直流电流;且所述第二晶体管利用所述偏置直流电流,并基于所述偏置电路的输入信号,得到目标输出信号;
所述电压生成电路,用于利用生成的与功率等级匹配的第一偏置直流电压控制第三晶体管输出目标输出信号,使得目标输出信号满足预设线性关系;
控制电路包括:检测电路,用于将第一直流电压与第二直流电压进行比较,得到比较结果;所述第一直流电压为第一晶体管的漏端直流电压;所述第二直流电压为第二晶体管的漏端直流电压;调整电路,用于利用比较结果调整所述第一直流电压及第二直流电压,使得偏置电路工作中第一晶体管的漏端直流电压与第二晶体管的漏端直流电压相同。
5.根据权利要求4所述的偏置电路,其特征在于,所述调整电路,具体用于:
利用比较结果,控制第一晶体管和第二晶体管的导通程度,以调整第一直流电压及第二直流电压。
6.根据权利要求4所述的偏置电路,其特征在于,所述调整电路,具体用于:
利用比较结果,通过上拉或下拉第一晶体管和第二晶体管的栅极直流电压,控制第一晶体管和第二晶体管的导通程度,以调整第一直流电压及第二直流电压。
7.根据权利要求4所述的偏置电路,其特征在于,
所述电压生成电路,还用于生成与功率等级匹配的第二偏置直流电压,所述第二偏置直流电压作为第一晶体管、第二晶体管的栅极直流电压;所述第一偏置直流电压与第二偏置直流电压满足预设条件;所述第二直流电压随着第一偏置直流电压、第二偏置直流电压的变化而变化。
8.根据权利要求4所述的偏置电路,其特征在于,
所述电压生成电路,具体用于利用至少一个电阻和至少一个电流源生成与功率等级匹配的至少一个第一偏置直流电压,每个第一偏置直流电压控制一个第三晶体管并输出目标输出信号,使得目标输出信号满足预设线性关系。
9.一种控制方法,其特征在于,所述方法包括:
将第一直流电压与第二直流电压进行比较,得到比较结果;所述第一直流电压为偏置电路的第一晶体管的漏端直流电压;所述第二直流电压为偏置电路的第二晶体管的漏端直流电压;
利用比较结果调整所述第一直流电压和第二直流电压,使得偏置电路工作中第一晶体管的漏端直流电压与第二晶体管的漏端直流电压相同;其中,
所述第一晶体管的栅极与第二晶体管的栅极连接;所述第一晶体管及第二晶体管将所述偏置电路的输入参考直流电流进行放大得到偏置直流电流,且所述第二晶体管利用所述偏置直流电流,并基于偏置电路的输入信号得到目标输出信号。
10.根据权利要求9所述的方法,所述利用比较结果调整所述第一直流电压及第二直流电压,包括:
利用比较结果,控制第一晶体管和第二晶体管的导通程度,以调整第一直流电压及第二直流电压。
11.根据权利要求9所述的方法,所述利用比较结果调整所述第一直流电压及第二直流电压,包括:
利用比较结果,通过上拉或下拉第一晶体管和第二晶体管的栅极电压,控制第一晶体管和第二晶体管的导通程度,以调整第一电压及第二电压。
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