[发明专利]一种超宽带新型平面魔T在审
申请号: | 201710424234.2 | 申请日: | 2017-06-07 |
公开(公告)号: | CN107069172A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 戴永胜;杨茂雅;陈相治;孙超 | 申请(专利权)人: | 孙超 |
主分类号: | H01P5/20 | 分类号: | H01P5/20 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231 | 代理人: | 王玉平 |
地址: | 210000 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 宽带 新型 平面 | ||
技术领域
本发明属于微波技术领域,特别涉及一种超宽带新型平面魔T。
背景技术
魔T是一种四端口器件,它将功分器与巴伦的特性相结合,能够输出两路输入信号的和与差,在微波技术领域中有着广泛的应用,可用来组成微波阻抗电桥、平衡混频器、功率分配器、和差器、天线双工器、平衡相位检波器、鉴频器、调制器等,但是传统的波导魔T是立体结构,体积大,并且由于宽带的匹配电路很难实现,所以其工作带宽较窄,尽管后来出现的基于槽线结构的平面魔T在一定程度上拓展了带宽,但是仍然无法完成超宽带特性且结构并非十分紧凑,而这些缺陷极大地限制了其应用的范围。
发明内容
本发明的目的是提供一种超宽带新型平面魔T,解决了传统平面魔T无法完成超宽带特性的问题。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种超宽带新型平面魔T,包括输入端口P1、输入端口P4、输出端口P2、输出端口P3、接地端口P5、接地端口P6、第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、连接通孔V1、连接通孔V2、连接通孔V3、连接通孔V4和第五连接通孔V5;
第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层为从下至上依次设置;第一金属层的前面从左至右依次间隔设有输出端口P3、接地端口P6和输出端口P2,第一金属层的后边从左至右依次间隔设有输入端口P1、接地端口P5和输入端口P4;
第一金属层上设有接地屏蔽层GND;
第二金属层上设有传输线L1、传输线L2、传输线L3、传输线L4、传输线L5、传输线L6、耦合线CL1、耦合线CL2、加载开路枝节T1和加载开路枝节T2;
第三金属层上设有耦合线CL3、耦合线CL6、耦合线CL7、开路加载枝节T3、开路加载枝节T6;
第四金属层上设有耦合线CL4、耦合线CL5、耦合线CL8、开路加载枝节T4和开路加载枝节T5;
加载开路枝节T1设于加载开路枝节T2的后边,开路加载枝节T3设于开路加载枝节T4的后边,开路加载枝节T5设于开路加载枝节T6的后边,加载开路枝节T2间隔设于开路加载枝节T3的后边,开路加载枝节T5间隔设于开路加载枝节T3的右边;
传输线L1的一端与输入端口P1连接,另一端与耦合线CL1连接,耦合线CL1的一端与传输线L1连接,另一端与传输线L2连接,耦合线CL2的一端与传输线L2连接,另一端与传输线L3连接,传输线L2通过连接通孔V1与接地屏蔽层GND连接,耦合线CL1和耦合线CL2分别连接加载开路枝节T1和加载开路枝节T2,加载开路枝节T1和加载开路枝节T2均与传输线L2连接,传输线L3的一端与耦合线CL2连接,另一端通过连接通孔V2与传输线CL3连接,传输线L5的一端通过连接通孔V3与耦合线CL4连接,另一端与输出端口P3连接,传输线L4的一端与输入端口P4连接,另一端通过连接通孔V4与耦合线CL5连接,传输线L6的一端通过连接通孔V5与耦合线CL6连接,另一端与输出端口P2连接,耦合线CL3的一端与连接通孔V2连接,另一端与耦合线CL7连接,耦合线CL3与耦合线CL7的连接处连接有开路加载枝节T3,耦合线CL7与耦合线CL6的连接处连接有开路加载枝节T6,耦合线CL6的一端与耦合线CL7连接,另一端与连接通孔V5连接,耦合线CL4的一端与连接通孔V3连接,另一端与耦合线CL8连接,耦合线CL4与耦合线CL8的连接处连接有开路加载枝节T4,耦合线CL8与耦合线CL5的连接处连接有开路加载枝节T5,耦合线CL5的一端与耦合线CL8连接,另一端与连接通孔V4连接,接地端口P5和接地端口P6均与接地屏蔽层GND连接。
输入端口P1、输入端口P4、输出端口P2、输出端口P3、接地端口P5和接地端口P6均为50欧姆特征阻抗的端口;所述的传输线L1、传输线L3、传输线L4、传输线L5和传输线L6的特性阻抗均为50欧姆。
所述耦合线CL1和所述耦合线CL2之间为侧边耦合结构,所述耦合线CL3和所述耦合线CL4之间为侧边错位耦合结构,耦合线CL5和耦合线CL6之间为侧边错位耦合结构,耦合线CL7和耦合线CL8之间为宽边耦合结构。
输入端口P1、输入端口P4、输出端口P2、输出端口P3、接地端口P5、接地端口P6、第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、连接通孔V1、连接通孔V2、连接通孔V3、连接通孔V4和第五连接通孔V5均采用LTCC低温共烧陶瓷工艺技术制作加工。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于孙超,未经孙超许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710424234.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种制醋用蒸饭摊凉床
- 下一篇:一种孢子监测玻片自动加载装置