[发明专利]一种SHF频段LTCC多模双通带滤波器

权利要求书

1.一种SHF频段LTCC多模双通带滤波器，其特征在于：包括输入端口PIN、输出端口POUT、滤波器、地线层GND1、地线层GND2、屏蔽层SD1和屏蔽层SD2；

滤波器的上边设有屏蔽层SD1，滤波器的下边设有屏蔽层SD2，滤波器的后边设有地线层GND1，地线层GND1的前边设有地线层GND2，滤波器的左边设有输入端口PIN，滤波器的右边设有输出端口POUT；

滤波器包括输入引线LIN、输出引线LOUT、耦合线COUP、谐振级主体导带LM、谐振枝节B1、谐振枝节B2、谐振枝节B3、谐振枝节B4、谐振枝节B5、谐振枝节B6、电容导带C1、电容导带C2、电容导带C3、电容导带C4、电容导带C5和电容导带C6；

输入端口PIN的左边设有输入引线LIN，输入引线LIN的一端连接输入端口PIN，另一端开路；

输入引线LIN的左边设有输出引线LOUT，输出引线LOUT与输入引线LIN位于同一水平线，输出引线LOUT的左边设有输出端口POUT，输出引线LOUT的一端连接输出端口POUT，另一开路；

输入引线LIN和输出引线LOUT的正下方设有耦合线COUP，耦合线COUP的两端均为开路；

输入引线LIN和输出引线LOUT的正上方设有谐振级主体导带LM，谐振级主体导带LM的后边从左至右依次间隔设有谐振枝节B4、谐振枝节B5和谐振枝节B6，谐振级主体导带LM的前边从左至右依次间隔设有谐振枝节B1、谐振枝节B2和谐振枝节B3；

谐振枝节B1的一端连接谐振级主体导带LM，另一端开路，谐振枝节B1的开路的一端的上方设有电容导带C1，电容导带C1的一端连接地线层GND1，另一端开路；

谐振枝节B2的一端连接谐振级主体导带LM，另一端开路，谐振枝节B2的开路的一端的上方设有电容导带C2，电容导带C2的一端连接地线层GND1，另一端开路；

谐振枝节B3的一端连接谐振级主体导带LM的中间部，另一端开路，谐振枝节B3的开路的一端的上方设有电容导带C3，电容导带C3的一端连接地线层GND1，另一端开路；

谐振枝节B4的一端连接谐振级主体导带LM的中间部，另一端开路，谐振枝节B4的开路的一端的上方设有电容导带C4，电容导带C4的一端连接地线层GND2，另一端开路；

谐振枝节B5的一端连接谐振级主体导带LM，另一端开路，谐振枝节B5的开路的一端的上方设有电容导带C5，电容导带C5的一端连接地线层GND2，另一端开路；

谐振枝节B6的一端连接谐振级主体导带LM，另一端开路，谐振枝节B6的开路的一端的上方设有电容导带C6，电容导带C6的一端连接地线层GND2，另一端开路。

2.如权利要求1所述的一种SHF频段LTCC多模双通带滤波器，其特征在于：所述输入端口PIN和所述输出端口POUT均为表面贴装的50欧姆阻抗的端口。

3.如权利要求1所述的一种SHF频段LTCC多模双通带滤波器，其特征在于：所述输入端口PIN、所述输出端口POUT、所述滤波器、所述地线层GND1、所述地线层GND2、所述屏蔽层SD1和所述屏蔽层SD2均采用多层低温共烧陶瓷工艺加工。