[发明专利]一种低温共烧高通滤波器

权利要求书

1.一种低温共烧高通滤波器，其特征在于，介质层(1)中内电极包括：金属接地层(2)，金属接地层(2)的上方设有第一LC滤波结构(3)、第二LC滤波结构(4)、第三LC滤波结构(5)、第一接地电感(6)和第二接地电感(7)；

第一LC滤波结构(3)和第二LC滤波结构(4)的形状和尺寸相近，二者均包括平面蛇形金属片及位于平面蛇形金属片上方或者下方与之部分耦合的平行金属片；

第一LC滤波结构(3)中的下层平行蛇形金属片的一端与外接输入输出电极连接，其另一端为开路，第二LC滤波结构(4)中的上层平行蛇形金属片的一端与另一外接输入输出电极连接，其另一端为开路；

两个平行金属片部分交错并设置在介质层(1)中两个平行平面内，两个平行金属片的一端形成弯折形耦合部分，所述弯折形耦合部分构成第三LC滤波结构(5)，两个平行金属片的另一端分别与其相应平面蛇形金属片部分耦合；

第一接地电感(6)的一端在靠近所述弯折形耦合部分的位置与上层平行金属片相连，其另一端与外接口相连，并且第一接地电感(6)与下层平面蛇形金属片部分耦合；第二接地电感(7)的一端在靠近所述弯折形耦合部分的位置与下层平行金属片相连，其另一端与外接口相连，并且第二接地电感(7)与上层平面蛇形金属片部分耦合；所述第一接地电感(6)与所述第二接地电感互不耦合(7)。

2.根据权利要求1所述的一种低温共烧高通滤波器，其特征在于，所述平面蛇形金属片是由多个金属片单元首尾相连形成迂回状弯折结构。

3.根据权利要求1所述的一种低温共烧高通滤波器，其特征在于，所述平面蛇形金属片的弯折角度为直角。

4.根据权利要求1所述的一种低温共烧高通滤波器，其特征在于，平行金属片包括相连的耦合金属片和连接金属片，耦合金属片形状与平面蛇形金属片耦合部分形状相近。

5.根据权利要求1至4任一项所述的一种低温共烧高通滤波器，其特征在于，LC滤波结构或者接地电感中金属片的宽度均在0.08mm～0.12mm范围内。

6.根据权利要求5所述的一种低温共烧高通滤波器，其特征在于，金属接地层与内电极距离的最小值在0.18～0.24mm范围内。

7.根据权利要求6所述的一种低温共烧高通滤波器，其特征在于，平行金属片与相应平面蛇形金属片耦合部分距离外接输入输出电极所在平面的距离在0.4～0.5mm范围内。

8.根据权利要求7所述的一种低温共烧高通滤波器，其特征在于，LC滤波结构(3～5)中平面蛇形金属片所在平面与平行金属片所在平面之间的垂直距离在0.03～0.05mm范围内。