[发明专利]射频功率放大器有效
申请号: | 201710385737.3 | 申请日: | 2013-06-13 |
公开(公告)号: | CN107257233B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 丁兆明;牟家宏;张欣晴 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/189 | 分类号: | H03F3/189;H03F1/30;H03F3/20 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 功率放大器 | ||
1.一种射频功率放大器,其特征在于,该射频功率放大器包括:
一偏压电路,电性连接一第一系统电压,该偏压电路用以接收一第一电流,且依据该第一电流提供一第二电流及一偏压电流;
一输出级电路,电性连接该偏压电路,用以接收该偏压电流以工作在一工作偏压点;以及
一射频补偿电路,电性连接该第一系统电压及该偏压电路,用以接收该第二电流,
其中当该第一系统电压大于一工作电压区间时,该第一电流的电流值等于该第二电流的电流值,以使得该偏压电流为零电流,借此以达到过电压保护该射频功率放大器。
2.如权利要求1所述的射频功率放大器,其中该偏压电路包括:
一第一电阻,其一端连接该第一系统电压,该第一电流流经该第一电阻;
一第一晶体管,其基极连接该第一电阻的另一端,其集极连接该第一系统电压,其射极连接该输出级电路;以及
一第二晶体管,其集极连接该第一晶体管的基极,其射极连接一接地电压,其基极连接该第一晶体管的该射极。
3.如权利要求2所述的射频功率放大器,其中该偏压电路包括:
一第二电阻,其一端连接该第一晶体管的射极,其另一端连接该第二晶体管的基极;以及
一第三电阻,其一端连接该第一晶体管的射极,其另一端连接该输出级电路。
4.如权利要求3所述的射频功率放大器,其中:
该偏压电路包括一第三电流,该第三电流等于该第一电流减去该第二电流:
该输出级电路包括:
一输出晶体管,其基极连接该第三电阻的另一端,其射极连接该接地电压;以及
一集极电阻,其一端连接一第二系统电压,其另一端连接该输出晶体管的集极,其中当该输出晶体管的射极面积为该第二晶体管的射极面积的N倍时且该第二电阻的电阻值为该第三电阻的电阻值的N倍时,则该输出晶体管的静态工作电流为N倍的该第三电流,其中N为大于1的有理数。
5.如权利要求4所述的射频功率放大器,其中该射频补偿电路包括:
一第四电阻,其一端连接该接地电压;
一第五电阻,其一端连接该接地电压;
一第六电阻,其一端连接该接地电压;
一第三晶体管,其射极连接该第四电阻的另一端,其基极连接该第五电阻的另一端;
一第四晶体管,其射极连接该第六电阻的另一端,其基极连接该第三晶体管的基极;
一第七电阻,其一端连接该第五电阻的另一端,其中该第五电阻的电阻值为该第七电阻的电阻值的三倍,并且该第四电阻与该第六电阻的电阻值小于该第七电阻的电阻值;
一第五晶体管,其射极连接该第四晶体管的集极,其集极连接该第一电阻的另一端以接收该第二电流;
一第六晶体管,其射极连接该第七电阻的另一端,其基极连接该第五晶体管的基极与该第三晶体管的集极,其集极连接该第一系统电压;以及
一第八电阻,其一端连接该第三晶体管的集极,其另一端连接该第一系统电压,
其中通过调整该第八电阻与该第一电阻之间的阻值比例来使得该静态工作电流为接近或等于零温度系数的电流。
6.一种射频功率放大器,其特征在于,该射频功率放大器包括:
一偏压电路,电性连接一第一系统电压,该偏压电路用以接收一第一电流,且依据该第一电流提供一第二电流及一偏压电流;
一输出级电路,电性连接该偏压电路,用以接收该偏压电流以工作在一工作偏压点;以及
一射频补偿电路,电性连接该第一系统电压及该偏压电路,用以接收该第二电流,
其中当该第一系统电压位于一工作电压区间时,该第一电流的电流值大于该第二电流的电流值并且其微幅上升的斜率相同,以使得该射频功率放大器的一静态工作电流独立于该第一系统电压的变化。
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