[发明专利]薄膜晶体管测试元件组、测试方法及阵列基板

说明书

本发明公开了薄膜晶体管测试元件组、测试方法及阵列基板。该薄膜晶体管测试元件组包括：衬底；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极以及栅极；遮光层，所述遮光层设置在所述有源层远离所述衬底的一侧，所述遮光层与所述有源层对应设置；第一电极层，所述第一电极层与所述漏极相连；以及第二电极层，所述第二电极层绝缘设置在所述第一电极层远离所述衬底的一侧，所述第二电极与所述漏极以及所述源极的至少之一相连。由此，可以提高该薄膜晶体管测试元件组在进行模拟测试时数据的准确性。

技术领域

本发明涉及显示领域，具体地，涉及薄膜晶体管测试元件组、测试方法及阵列基板。

背景技术

随着显示技术以及半导体技术的发展，人们对显示屏幕的画质要求也越来越高，即要求液晶屏等显示屏幕，具有足够高的像素密度以及较宽的色域，以满足对画质的清晰度以及画面饱和度的要求。而对于诸如液晶显示器件而言，越来越高的像素密度(PixelsPer Inch，PPI)却使得液晶屏的不良更容易产生。而高像素密度的显示器件中，很多的不良与阵列基板上薄膜晶体管(TFT)的开关特性相关。因此，若能准确监测显示区TFT开关的电学特性，就能准确的对不良进行合理监控，进而提出改善方案。

然而，目前的薄膜晶体管测试元件组、测试方法及阵列基板仍有待改进。

发明内容

本发明是基于发明人对以下事实的发现和认识而作出的：

为了方便检测显示区薄膜晶体管的电学特性，通常在薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的阵列基板的非显示区，设置薄膜晶体管测试元件组(测试teg)，模拟显示区的薄膜晶体管，以实现对显示区TFT开关特性的检测。发明人发现，目前的测试元件组，普遍存在测试结果难以反应实际的显示区中TFT的开关特性的情况。发明人经过深入研究以及大量实验发现，这主要是由于设置在非显示区的测试元件组中的薄膜晶体管，其所处的电学环境，与设置在显示区的薄膜晶体管存在差异。因此，在对测试元件组进行测试时，测试元件组中的薄膜晶体管，并未考虑显示区的实际环境对薄膜晶体管的开关特性造成的影响，从而导致通过测试元件组获得的薄膜晶体管开关特性，与显示区中TFT的开关特性不相符。

本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。

有鉴于此，在本发明的一个方面，本发明提出了一种薄膜晶体管测试元件组。根据本发明的实施例，该薄膜晶体管测试元件组包括：衬底；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极以及栅极；遮光层，所述遮光层设置在所述有源层远离所述衬底的一侧，所述遮光层与所述有源层对应设置；第一电极层，所述第一电极层与所述漏极相连；以及第二电极层，所述第二电极层绝缘设置在所述第一电极层远离所述衬底的一侧，所述第二电极与所述漏极以及所述源极的至少之一相连。由此，可以利用遮光层、第一电极层以及第二电极层，模拟显示区TFT工作时的电学环境，从而提高该薄膜晶体管测试元件组在进行模拟测试时数据的准确性。

根据本发明的实施例，该薄膜晶体管测试元件组进一步包括：第一电阻，所述第一电阻设置在所述漏极以及所述第二电极层之间。由此，可以将利用第一电阻，将施加在漏极的电压分至第二电极层，以便利用第二电极层模拟显示区中公共电极对薄膜晶体管的影响。

根据本发明的实施例，该薄膜晶体管测试元件组进一步包括：第二电阻，所述第二电阻设置在所述源极以及所述第二电极层之间。由此，可以将利用第二电阻，将施加在源极的电压分至第二电极层，以便利用第二电极层模拟显示区中公共电极对薄膜晶体管的影响。

根据本发明的实施，所述衬底为阵列基板衬底。

根据本发明的实施例，所述薄膜晶体管进一步包括：绝缘层，所述绝缘层设置在所述源极、所述漏极以及所述第一电极层远离所述衬底的一侧，所述遮光层是由添加有黑色染料的所述绝缘层构成的。由此，可以利用薄膜晶体管中的绝缘层，充当黑矩阵的结构，从而模拟显示区在点灯状态下薄膜晶体管的工作环境。