[发明专利]一种三维花片状硫铟锌微-纳米线阵列及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种三维花片状硫铟锌微-纳米线阵列的制备方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：

（1）先把裁剪好的锌片进行一定程度的打磨，去除表面的氧化层；具体是用3000目的砂纸进行打磨；

（2）将（1）中打磨后的锌片进行清洗干燥，然后作为基底放入到反应釜内胆中；

（3）将铟盐和硫源按照一定的摩尔比混合加入到反应釜中，再加入乙二醇，然后进行搅拌或超声溶解，配成一定浓度的均匀溶液；

步骤（3）中所述的铟盐为氯化铟、硝酸铟、硫酸铟、醋酸铟或乙酰丙酮铟，所述的铟盐的浓度为0.2-0.6M；

步骤（3）中所述的铟盐和硫源的摩尔比为1:2~1:8；

（4）将反应釜密封，控制温度160~220℃，反应时间1~10小时；反应结束后，反应釜自然冷却至室温，取出样品后清洗干燥，即可得到在锌片上均匀生长的三维花片状ZnIn₂S₄微-纳米线阵列薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种三维花片状硫铟锌微-纳米线阵列的制备方法，其特征在于，步骤（2）中对锌片进行清洗是指依次用丙酮、无水乙醇、去离子水超声振荡10min；步骤（2）中对锌片进行干燥是指用不高于60℃的烘箱或者气枪进行干燥。

3.根据权利要求1所述的一种三维花片状硫铟锌微-纳米线阵列的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述的硫源为硫粉、硫脲、半胱氨酸或硫代乙酰胺。

4. 根据权利要求1所述的一种三维花片状硫铟锌微-纳米线阵列的制备方法，其特征在于，步骤（4）中所述的反应时间为2-4h, 反应温度180~200℃。

5.一种三维花片状硫铟锌微-纳米线阵列，其特征在于，根据权利要求1-4任一所述方法制备得到。

6.根据权利要求5所述三维花片状的ZnIn₂S₄微-纳米线阵列在光催化的应用。