[发明专利]一种改进型的离子束垂直角度测量方法

说明书

本发明公开了一种改进型的离子束垂直角度测量方法，在原来的硬件平台包括检测光栏阵列(1)和法拉第杯(2)基础上，对软件的数据拟合和角度计算算法做了升级，使得结果更加精确，重复性更好。说明书给出了改进后的程序的算法及流程。本发明涉及离子注入装置，隶属于半导体制造领域。

技术领域

本发明是一种改进型的离子束垂直角度测量方法，其涉及一种集成电路制造控制系统，即离子注入机，属于半导体器件制造领域。

背景技术

现有半导体集成电路制造技术中，随着半导体集成电路技术的发展，集成度越来越高，电路规模越来越大，电路中单元器件尺寸越来越小，对各半导体工艺设备提出了更高的要求。离子注入机作为半导体离子掺杂工艺线的关键设备之一，也面临着更加严苛的标准。

特别的，为了满足更小的制造工艺尺寸的要求，离子束的角度测量必须更加准确，稳定性必须更好。因此离子注入机迫切需要一种更准确，重复性更好，计算更快捷的垂直角度测量方法。

发明内容

本发明公开了一种改进型的离子束垂直角度测量方法，可用于离子注入机工作过程中，准确快捷的检测离子束的垂直方向角度，并在结果异常或者角度过大时返回报错。

本发明通过以下技术方案实现：

1.一种改进型的离子束垂直角度测量方法，在原来的硬件平台包括检测光栏阵列(1)和法拉第杯(2)基础上，对软件的数据拟合和角度计算算法做了升级，使得结果更加精确，重复性更好。

2.一种改进型的离子束垂直角度测量方法，其特征在于通过由检测光栏阵列(1)和法拉第杯(2)及相应控制系统组成的硬件平台测量得到不同的光栏倾斜角下通过的离子束流强度。

3.一种改进型的离子束垂直角度测量方法，其特征在于利用公式(1)对权利要求2中得到的不同光栏倾斜角下通过的离子束流强度数据进行拟合分析，计算得到离子束流的垂直方向角度。

4.一种改进型的离子束垂直角度测量方法，其特征在于通过运行离子注入机参考菜单，得到离子束垂直角度的参考零点，并对权利要求3中提到的垂直方向角度进行修正。

5.一种改进型的离子束垂直角度测量方法，其特征在于监测权利要求4中提到的修正后离子束垂直方向角度，若其超出一定范围，返回报错信号。

本发明具有如下显著优点：

1.计算准确性高。

2.结果重复性好。

3.提供异常报错。

附图说明

图1硬件测量系统示意图

图2拟合算法流程图

图3拟合示例图

图4新旧结果比较

具体实施方式

下面结合附图1、附图2、附图3、附图4对本发明作进一步的介绍，但不作为对本发明的限定。

参见附图1、附图2、附图3和附图4，该测量方法，在原来的硬件平台包括检测光栏阵列(1)和法拉第杯(2)基础上，对软件的数据拟合和角度计算算法做了升级，使得结果更加精确，重复性更好。

通过由检测光栏阵列(1)和法拉第杯(2)及相应控制系统组成的硬件平台测量得到不同的光栏倾斜角下通过的离子束流强度。

利用公式(1)对上一步中得到的不同光栏倾斜角下通过的离子束流强度数据进行拟合分析，计算得到离子束流的垂直方向角度。

拟合公式如下：