[发明专利]表膜构件

说明书

本发明的目的在于提供一种表膜构件，在使表膜构件框架与光掩模贴合时，能减少从表膜构件框架向光掩模传递的应力，抑制光掩模的变形。本发明的表膜构件包括框状的表膜构件框架和张设于表膜构件框架的上端面的表膜，其特征在于，在表膜构件框架的与上端面相对的下端面，在其整周上设有包括凝胶状物质的密封材料层，并且在表膜构件框架的下端面的一部分的多个部位设有粘合剂层。

技术领域

本发明涉及在制造半导体器件、印刷基板、液晶显示器等时用于防污的表膜构件(pellicle)。

背景技术

在LSI、超LSI等半导体的制造、液晶显示器等的制造中，对半导体晶圆、液晶用原板照射光来形成图案，但是如果此时所使用的光掩模或者中间掩模(以下仅记为光掩模)附着有污物，则会有如下问题：边缘变粗糙，基底污黑等，导致尺寸、质量、外观受损。

因此，通常在无尘室中进行这些作业，但是即使如此也难以保证光掩模总是清洁，因此对光掩模表面贴附用于防污的表膜构件之后进行曝光。在这种情况下，异物不会直接附着于光掩模的表面，而是附着在表膜构件上，因此在光刻时只要使焦点对准到光掩模的图案上即可，表膜构件上的异物与转印无关。

一般，表膜构件是将透光性良好的包括硝化纤维、醋酸纤维或者氟树脂等的透明表膜在对包括铝、不锈钢、聚乙烯等的表膜构件框架的上端面涂敷表膜的良溶剂后进行风干而将其粘接(参照专利文献1)，或者用丙烯酸树脂、环氧树脂等粘接剂将透明表膜粘接(参照专利文献2和专利文献3)。而且，表膜构件框架的下端包括：粘合层，其用于粘接到光掩模，包括聚丁烯树脂、聚醋酸乙烯树脂、丙烯酸树脂、有机硅树脂等；以及用于保护粘合层的脱模层(分离层)。

然后，将这种表膜构件装配到光掩模的表面，通过光掩模对形成于半导体晶圆、液晶用原板的光致抗蚀剂膜进行曝光时，污物等异物附着于表膜构件的表面而不直接附着于光掩模的表面，因此只要使焦点位于形成于光掩模的图案上来照射曝光用的光，就能避免污物等异物的影响。

然而，近年来，半导体器件和液晶显示器越来越高集成化、微细化。当前，将32nm程度的微细图案形成于光致抗蚀剂膜的技术也已投入实用。如果是32nm程度的图案，则能通过在半导体晶圆或液晶用原板与投影透镜之间充满超纯水等液体，利用氟化氩(ArF)准分子激光对光致抗蚀剂膜进行曝光的液浸曝光技术、多重曝光等使用现有的准分子激光的改进技术来应对。

但是，下一代的半导体器件、液晶显示器要求形成进一步微细化的图案，使用如以往那样的表膜构件和曝光技术已难以形成更微细的图案。

因此，近年来，作为用于形成更微细的图案的方法，使用以13.5nm为主波长的EUV光的EUV曝光技术受到关注。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开昭58-219023号公报

专利文献2：美国专利第4861402号

专利文献3：特公昭63-27707号公报

发明内容

发明要解决的问题

此外，随着半导体器件、液晶显示器的微细化的发展，关系到成品率的表膜构件会在将表膜构件贴附于光掩模时由于其应力而使光掩模变形(PID；Pellicle InducedDistortion：表膜构件引起的变形)，结果是形成的图案的位置精度出现偏差，因此难以形成微细图案成为大问题。

在通常的表膜构件中，在表膜构件框架的下端面在整周上设有粘合剂层，在将表膜构件贴附于光掩模时，光掩模会从表膜构件框架的整个一个端面受到应力，产生由于该应力导致光掩模变形的问题。如果由于从表膜构件框架受到的应力导致光掩模变形，则根据变形的程度而有时难以形成目标微细图案。