[发明专利]带变压器的高效非隔离交错并联BOOST变换器和工作方法在审
| 申请号: | 201710375816.6 | 申请日: | 2017-05-24 |
| 公开(公告)号: | CN107222098A | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
| 发明(设计)人: | 凌睿;王峰;胡睿;张腾;刘金平;刘辉;杨常浩 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
| 主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155;H02M3/06 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 400045 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 变压器 高效 隔离 交错 并联 boost 变换器 工作 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电子电路自动化控制领域,尤其涉及一种带变压器的高效非隔离交错并联BOOST变换器和工作方法。
背景技术
随着全球能源紧缺和严重的环境问题,新能源资源如光伏,燃料电池,风能,地热能等在全球受到广泛的关注。然而,大多数新能源资源如光伏、燃点电池的输出电压较低,在实际应用中需要一种高增益的变换器。理论上,boost,buck-boost和flyback变换器在极端占空比时能够提供较高的电压增益。事实上,这些变换器的电压增益却受限于开关管,二极管,电感和电容的等效串联电阻,漏感的影响。而且,在极端占空比时不仅会引入非常大的电流纹波和增加导通损耗,还会引入非常严重的二极管反向恢复问题。
因此,为提高变换器转换效率和避免工作的极端占空比情况,许多二次变换器和串级结构的两级变换器被提出。然后,由于两级结构的变换器拓扑复杂,效率降低了。而且,变换器的稳定性是一个问题和比较严重输出二极管的反向恢复问题。结果,最终的效率比较低,相应的电磁干扰(EMI)噪声比较严重。隔离型变换器在有变压器的情况下能够很容易的获得较高的电压增益。然而,变压器的漏感不仅会导致电压和电流尖峰,引入较高的开关管电压应力,而且还会增加损耗和噪声,结果导致效率较低。RCD箝位电路和有源箝位电路能够减小电压应力和开关损耗,但却是以变换器拓扑结构复杂和相关箝位电路损耗为代价的。
为了获得较高的转换效率,大量的基于耦合电感的非隔离变换器由于其电路结构简单和导通损耗小而被广泛研究。然而,他们却需要缓冲器来限制由耦合电感的漏感引起的开关管电压尖峰。因此,电压箝位电路,有源箝位电路,无源再生缓冲电路已被提出来解决这种问题。然而,所有这些方法都是通过增加开关管和电容,这导致了变换器结构变复杂。基于boost集成隔离变换器的非隔离高增益变换器,如集成boost-flyback变换器和集成boost-SEPIC变换器在文献中已被提出。耦合电感作为变压器,通过调节绕组匝比来提高电压增益。此外,漏感能量直接回收利用于输出端,这样,开关管的电压尖峰能够被限制。而且,输出二极管的关断电流能被耦合电感的漏感限制,二极管的反向恢复问题减轻了,相关的损耗也减小了。然而,输出二极管的电压应力却随着耦合电感的匝比的增加而增加了。因此,二极管的反向恢复问题仍然存在。尽管避免了极端占空比,输入电流纹波由于电路的单开关控制却变得很大,这使得这些变换器都不适于大功率、大电流的应用场合。传统的交错并联boost变换器由于其结果简单和较小的输入输出纹波,在大功率和功率因数校正的应用中是比较好的选择。然而,电压增益比较低,开关管和二极管的电压应力接近于输出电压为了解决这些问题,将开关电容、变压器或耦合电感集成于传统的交错并联boost变换器。因此,获得了适用于大功率的高增益、高效率、低电压应力的变换器。
交错并联结构boost变换器因其结构简单和输入输出纹波小的特点而成为新能源系统的较好选择。然而,传统交错并联boost变换器的电压增益较低。因此,正激变换器和型变换器集成于传统的交错并联boost变换器已被提出。不仅能够获得较高的电压增益而且还能减小开关管和二极管的电压应力。然而,集成正激变换器和型变换器电路相当复杂和昂贵。普遍来说,与正激型和型变换器相比,flyback变换器能够获得更高的电压增益,而且电路结构更加简单。因此,flyback变换器集成于传统的交错并联变换器也是另外一个较好的选择。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题,特别创新地提出了一种带变压器的高效非隔离交错并联BOOST变换器和工作方法。
为了实现本发明的上述目的,本发明提供了一种带变压器的高效非隔离交错并联BOOST变换器,其关键在于,包括:第一MOS管、第二MOS管、第一电感、第二电感、变压器漏感、第一二极管、第二二极管、第三二极管、负载、输出电容,第一电容、第二电容、变压器,
第一电感一端连接第二MOS管漏极,第三电感与第一电感并联,同样连接第二MOS管漏极,所述第一电感另一端连接第二电感一端,所述第一MOS管源极连接第二MOS管源极,所述第一MOS管漏极连接第二电感另一端,所述第二电感一端还连接变压器漏感一端,所述变压器漏感另一端连接变压器一次侧输入端,所述第二MOS管漏极连接变压器一次侧输出端,这使得具有更低导通电阻的MOS管能够被选择来进一步减小开关损耗和导通损耗。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学,未经重庆大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710375816.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





