[发明专利]一种扦插育苗培育方法

权利要求书

1.一种扦插育苗培育方法，其特征在于：所述的扦插育苗培育方法包括以下步骤：

第一步，容器准备，首先根据扦插作业的需要，先择合适溶剂的承载容器，并对承载容器进行杀菌处理，然后将容器置于20℃—30℃恒温环境中保存；

第二步，有培养基质配置，完成第一步作业后，首先在容器底部铺设厚度为1—5厘米厚的珍珠岩，然后在珍珠岩上铺设厚度为1—5厘米厚的塘泥，然后在塘泥上铺设厚度2—10厘米厚的堆肥，最后在堆肥表层铺设厚度为1—3厘米厚的覆土层，完成培养基质装填，在完成基质装填后，首先向覆土层表层均匀喷淋无机肥水溶液，并在完成无机肥水溶液喷淋后30—120分钟后，再次向覆土层表层循环喷淋去离子水，并保持覆土层含水量为30％—60％；

第三步，制备扦插穗，完成二步作业后，从母株上选择生长旺盛，无病虫害，直径在0.5—2厘米枝条作为扦插穗制备母体，然后在制备母体上截取长度为3厘米—6厘米，并具备2—6个茎结的枝段为扦插穗，在截取时，扦插穗切口与扦插穗轴线呈30—90°夹角，且切口所对应的扦插穗表面设1—4条破口，各破口环绕扦插穗轴线均布并与扦插穗轴线平行分布，扦插穗上保留1—3个叶片；

第四步，扦插穗预处理，将第三步制备的扦插穗切口首先使用1500倍的百菌清浸泡0.5—1小时，然后由去离子水浸泡1—3小时，然后由生长调节剂水溶液对扦插穗浸泡0.5—2小时；

第五步，扦插，完成第四步作业后，直接将扦插穗从生长调节剂水溶液中取出并插入到第二步配置的培养基质中，其中扦插时，扦插穗切口嵌入到堆肥内，切口最底端与堆肥底部间距离为堆肥厚度的1/3—2/3，相邻的扦插穗间距为10厘米—15厘米，扦插穗轴线与培养基质上表面呈45°—90°夹角；

第六步，后续管理，完成第五步作业后，将容器连通扦插穗一同移置背阴处，避免阳光直射并保持温度恒定在20℃—30℃，保持培养基质含水量为60％—70％，空气相对湿度为60％—90％，完成扦插穗扦插后，首先对培养基质喷淋浓度为3％—10％的生根粉水溶液，然后每隔离4—10天对扦插穗喷淋浓度为0.2％—0.5％的叶面肥直至生根为止，然后在15—30天内，每隔离4—10天对扦插穗喷淋浓度为0.2％—0.5％的杀菌剂；

第七步，炼苗，完成第六步作业后，在15—60天内，培养基质每隔7—15天进行一次喷水，且培养基质含水量下降至30％—50％，同时每隔5—10天对扦插穗喷淋浓度为0.5ppm的三十烷醇水溶液；

第八步，出苗，在完成第七步的炼苗作业后，按照育苗方式对扦插穗进行培育，并直至扦插穗高度达到20—30厘米后便可作为幼苗出圃移栽。

2.根据权利要求1所述的一种扦插育苗培育方法，其特征在于：所述的第一步中，对承载容器进行杀菌时，使用浓度为0.01％—1％的高锰酸钾水溶液，杀菌作业时高锰酸钾水溶液的温度为30℃—50℃。

3.根据权利要求1所述的一种扦插育苗培育方法，其特征在于：所述的第二步中，铺设堆肥时，另向堆肥中喷淋发酵菌剂水溶液。

4.根据权利要求3所述的一种扦插育苗培育方法，其特征在于：所述的发酵菌剂为植物乳杆菌、腐质生放线菌、谷草芽孢杆菌及荚膜红细菌中的任意一种，发酵菌剂浓度为0.1—0.4亿cfu/ml。

5.根据权利要求1所述的一种扦插育苗培育方法的，其特征在于：所述的第四步中，生长调节剂为萘乙酸、6—氨基腺嘌呤、生根粉及吲哚丁酸中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的一种扦插育苗培育方法，其特征在于：所述的第四步、第六步及第七步中，进行喷淋作业时均在用雾化喷淋作业。