[发明专利]模块并入前进行天线效应检查的方法在审
| 申请号： | 201710369460.5 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107122567A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 曹云 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 模块 并入 进行 天线 效应 检查 方法 | ||
1.一种模块并入前进行天线效应检查的方法，其特征在于，包括以下步骤：
至少识别出IP模块版图中用于天线效应检查的引脚以及所述引脚所连接的金属层和栅极层；
至少将所述引脚以及引脚所连接的金属层和栅极层抽取出来，生成一个能够被客户的布局布线工具读取的格式文件，提供给所述客户；
所述客户通过所述布局布线工具读取所述格式文件，以进行天线效应检查。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，识别出所述IP模块版图中所有的引脚以及所述引脚所连接的金属层和栅极层。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述栅极层为多晶硅层。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，识别所述IP模块版图的时，还识别出所述IP模块版图中所有的有源层和附加层。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述有源层包括所述引脚所连接的MOS管的有源层，所述附加层包括所述引脚所连接的导电接触、通孔和给衬底设定电位的衬底连接层。
6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，将所述引脚以及引脚所连接的金属层和栅极层抽取出来时，以所述引脚为起点，自上而下地沿着连接所述引脚的线路，将与天线效应有关的层都抽取出来。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述格式文件的生成过程包括：
定义所述引脚的文本标记层；
定义所述引脚所连接的MOS管源漏端、衬底连接端、栅端、导电接触、金属层以及通孔；
定义所有的输出层端。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，分别定义NMOS管和PMOS管的源漏端和衬底连接端。
9.如权利要求1或7所述的方法，其特征在于，所述格式文件为GDS文件。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述客户在做天线效应检查时，判断所述格式文件中的各个引脚处的天线效应值是否超出设定的天线效应临界值。
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