[发明专利]一种Nandflash阵列的文件信息存储方法

说明书

本发明公开一种Nandflash阵列的文件信息存储方法,涉及高速大容量存储领域，通过NOR FLASH控制器从指定的NOR FLASH地址读取记录文件个数信息，加载到Nandflash阵列控制器,根据文件记录个数加载最后一个文件的信息到Nandflash阵列控制器,Nandflash阵列控制器根据最后一个文件的信息确定下一次记录的起始信息,当Nandflash阵列控制器接收到开始记录命令,通过得到的最后一个文件的起始信息开始流水存储，记录完成，NOR FLASH控制器更新文件个数，同时根据当前的文件个数信息将本次记录的起始信息写到NOR FLASH对应地址。

技术领域

本发明公开一种Nandflash阵列的文件信息存储方法,涉及高速大容量存储领域。

背景技术

Nandflash内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nandflash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。在雷达及航天等领域，对存储设备的容量及读写速率要求更加苛刻，单一的Nandflash无法满足要求，因此选择Nandflash阵列，由于Nandflash的FTL算法比较复杂，因此Nandflash阵列的文件系统非常复杂，Nandflash阵列控制器记录文件就需要一定的时间及存储空间，本发明提供了一种Nandflash阵列的文件信息存储方法，具体实施时通过NOR FLASH记录文件个数，文件的信息，当系统上电时，自动加载文件个数信息以及最后一个文件的起始逻辑地址，停止逻辑地址，起始流水级，停止流水级以及停止Page地址等，以便Nandflash阵列控制器可以紧接着进行下一次记录，实现文件的读写擦等操作，不仅节省记录时间，简化操作，而且提高文件的读写擦等操作的效率。

发明内容

本发明提供一种Nandflash阵列的文件信息存储方法，具有通用性强、实施简便等特点，具有广阔的应用前景。

本发明提出的具体方案是：

一种Nandflash阵列的文件信息存储方法：

通过NOR FLASH控制器从指定的NOR FLASH地址读取记录文件个数信息，加载到Nandflash阵列控制器,根据文件记录个数加载最后一个文件的信息到Nandflash阵列控制器,

Nandflash阵列控制器根据最后一个文件的信息确定下一次记录的起始信息,当Nandflash阵列控制器接收到开始记录命令,通过得到的最后一个文件的起始信息开始流水存储，

记录完成，NOR FLASH控制器更新文件个数，同时根据当前的文件个数信息将本次记录的起始信息写到NOR FLASH对应地址。

所述起始信息包括最后一个文件的起始逻辑地址，停止逻辑地址，起始流水级，停止流水级，Page地址。

Nandflash阵列控制器根据最后一个文件的信息确定下一次记录的起始逻辑地址，起始流水级，并通过加载的停止流水级与起始流水级的关系及Page地址，确定下一个文件的起始逻辑地址，起始流水级，起始Page，进行流水存储。

所述若加载的停止流水级等于起始流水级并且Page地址为0，则下一个文件的起始逻辑地址为加载的停止逻辑地址，起始流水级为加载的停止流水级，起始Page为0，否则起始逻辑地址为停止逻辑地址加1，起始流水级为加载的停止流水级,起始page为0。

所述当Nandflash阵列控制器接收到擦除命令时，Nandflash阵列控制器完成全部Nandflash的BLOCK擦除后，NOR FLASH控制器更新文件个数为0，同时擦除NOR FLASH记录文件信息的对应SECTOR。