[发明专利]内存访问方法和装置

说明书

本申请公开了一种内存访问方法和装置，属于存储器技术领域，所述方法包括：接收内存访问请求；所述内存访问请求用于请求访问动态随机访问存储器DRAM中的目标行；在所述目标行是弱行时，根据偏移量表和预设起始地址确定所述目标行在所述DRAM中的预留域中所对应的映射地址；所述偏移量表中包括所述DRAM中的弱行在所述预留域中所对应的地址偏移量，所述预设起始地址为所述预留域的起始地址；所述地址偏移量在所述预留域中所指向的行不是弱行；根据所述映射地址访问所述预留域；返回访问结果。解决了相关技术中总线中的刷新命令较多，可能会导致总线拥塞，降低系统的性能的问题；达到了可以避免总线拥塞，提高性能的效果。

技术领域

本申请涉及存储器技术领域，特别涉及一种内存访问方法和装置。

背景技术

动态随机访问存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)用一个晶体管和一个电容构成一个单元，进而存储一位数据。

然而随着时间变化，电容会出现电荷泄露进而导致该单元中存储的数据丢失。因此为了维持存储在单元中的数据，会定期执行刷新各单元中存储的数据的操作，并且实际实现时，以行(字线(Wordline)将同一行中的多个单元串联起来形成行)为单位来执行刷新操作。DRAM中大部分单元维持数据的时长均在256ms以上，而少部分单元维持数据的时长小于256ms甚至小于64ms，因此，为了保证某一行中的各个单元的数据不会丢失，相关技术中需要采用小于目标时长的刷新周期来刷新该行中的数据。其中，目标时长为该行中维持时间最短的单元所对应的维持时间。比如，某一行中维持时间最短的单元所对应的维持时间为40ms，则对于该行，需要采用小于40ms的时长来刷新如采用35ms的刷新周期刷新。

上述方案中，在DRAM中的弱行较多时，由于刷新各个弱行的刷新周期较短，因此总线中的刷新命令较多，可能会导致总线拥塞，降低了系统的性能。

发明内容

为了解决相关技术中总线拥塞系统性能低的问题，本申请实施例提供了一种内存访问方法和装置。

第一方面，提供了一种内存访问方法，该内存访问方法包括：

接收内存访问请求；内存访问请求用于请求访问动态随机访问存储器DRAM中的目标行；

在目标行是弱行时，根据偏移量表和预设起始地址确定目标行在DRAM中的预留域中所对应的映射地址；偏移量表中包括DRAM中的弱行在预留域中所对应的地址偏移量，预设起始地址为预留域的起始地址；地址偏移量在预留域中所指向的行不是弱行；

根据映射地址访问预留域；

返回访问结果。

在请求访问的目标行是弱行时，通过根据预先保存的偏移量表以及预设起始地址计算该目标行在DRAM的预留域中所对应的映射地址，进而根据映射地址来访问DRAM中的预留域，返回访问结果；其中，由于偏移量表中的各个地址偏移量在预留域中所指向的行均不是弱行，因此，上述方案在请求访问弱行时通过转换其访问地址使得可以访问DRAM中的正常行，这样后续在刷新DRAM时均可以按照正常的刷新周期进行刷新，解决了相关技术中总线中的刷新命令较多，可能会导致总线拥塞，降低系统的性能的问题；达到了可以避免总线拥塞，提高性能的效果。

在第一种可能的实现方式中，返回访问结果，包括：

接收DRAM返回的携带有第一地址的返回结果，第一地址为DRAM中被访问的地址；

计算第一地址与预设起始地址的差值；

若差值大于0，则根据偏移量表、预设起始地址计算第一地址所对应的第二地址；

返回携带有第二地址的访问结果。

在第二种可能的实现方式中，方法还包括：