[发明专利]红外光通信发射装置及系统在审
申请号: | 201710348697.5 | 申请日: | 2017-05-17 |
公开(公告)号: | CN107086890A | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
发明(设计)人: | 冉文方 | 申请(专利权)人: | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
主分类号: | H04B10/116 | 分类号: | H04B10/116;H04B10/50 |
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地址: | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外 光通信 发射 装置 系统 | ||
1.一种红外光通信发射装置(10),其特征在于,包括:处理器(11)、驱动器(13)及红外光源(15);其中,
所述处理器(11)、所述驱动器(13)及所述红外光源(15)依次串行电连接;且所述处理器(11)接收传输信号并解析所述传输信号形成驱动信号,所述驱动器(13)根据所述驱动信号控制所述红外光源(15)进行发光以完成光通信。
2.根据权利要求1所述的发射装置(10),其特征在于,所述处理器(11)包括信号解析模块(111)、偏置模块(113)、载波模块(115)及调频模块(117);其中,
所述解析模块(111)接收所述传输信号并解析形成解析信号;
所述偏置模块(113)电连接所述解析模块(111),用于接收所述解析信号并对所述解析信号进行放大处理形成放大信号;
所述混频模块(117)电连接所述载波模块(115)及所述偏置电路(113),用于将由所述载波模块(115)产生的固定载波频率的信号与所述放大信号进行混频形成所述驱动信号。
3.根据权利要求1所述的发射装置(10),其特征在于,所述驱动器(13)包括电阻(R)、三极管(T)、功率电阻(W)、第一电容(C1)、第二电容(C2);其中,
所述电阻(R)电连接所述处理器(11)的输出端;
所述三极管(T)的基极电连接所述电阻(R)且其发射极电连接至接地端(GND);
所述红外光源(15)及所述功率电阻(W)依次串接于所述三极管(T)的集电极与电源(Vcc)之间;
所述第一电容(C1)与所述第二电容(C2)并接后串接于所述电源(Vcc)与所述接地端(GND)之间。
4.根据权利要求1所述的发射装置(10),其特征在于,所述红外光源(15)包括基板(151)、红外LED(153)、金丝(155)、树脂材料(157)及透镜(159);其中,
所述红外LED(153)设置于所述基板(151)中间位置处;
所述金丝(155)连接所述红外LED(153)的电极与设置于所述基板(151)上的金属连线;
所述透镜(159)固接于所述基板(151)上;
所述树脂材料(157)填充于所述基板(151)与所述透镜(159)形成的空间内。
5.根据权利要求4所述的发射装置(10),其特征在于,所述基板(151)中间位置设置有凹槽,所述红外LED(153)设置所述凹槽内。
6.根据权利要求4所述的发射装置(10),其特征在于,所述红外LED(153)的发光波长为1550nm~1650nm。
7.根据权利要求4所述的发射装置(10),其特征在于,所述红外LED(153)包括Si衬底(1531)、PiN台阶结构(1533)、正电极(1535)及负电极(1537);其中,
所述PiN台阶结构(1533)形成于所述Si衬底(1531)表面的中心位置处;
所述正电极(1535)形成于所述PiN台阶结构(1533)的上表面;
所述负电极(1537)形成于所述Si衬底(1531)的上表面并位于所述PiN台阶结构(1533)两侧的位置处。
8.根据权利要求4所述的发射装置(10),其特征在于,所述PiN台阶结构(1533)依次包括N型Si外延层、张应变Ge层、P型Ge层,且所述N型Si外延层、所述张应变Ge层及所述P型Ge层形成PiN结构。
9.一种红外光通信系统,包括红外发射器、中继转发器及红外接收器,其特征在于,所述红外发射器为如权利要求1~8任一项所述的红外光通信发射装置(10)。
10.根据权利要求9所述的系统,其特征在于,所述中继转发器包括红外接收模块、红外发射模块及单片机;其中,所述单片机分别电连接所述红外接收模块及所述红外发射模块。
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