[发明专利]直流电源短路保护装置在审
| 申请号： | 201710347664.9 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108963968A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 卢昭正 | 申请（专利权）人： | 卢昭正 |
| 主分类号： | H02H3/087 | 分类号： | H02H3/087 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 中国台湾台北市文山区*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 直流电源 电阻 短路保护装置 半导体电路 半导体 负载短路保护功能 直流电源供电 供电过程 负载端 短路 开路 电路 | ||
1.一种直流电源短路保护装置，供一直流电源在对一电路的供电过程中提供负载短路保护功能，其特征在于，所述电路具有一电路正电端与一电路负电端，所述直流电源短路保护装置包括：
一第一半导体，具有一汲极、一源极与一闸极，所述第一半导体的汲极连接所述电路负电端；
一第二半导体，具有一汲极、一源极与一闸极，所述第二半导体的汲极连接所述第一半导体的闸极，所述第二半导体的源极连接所述第一半导体的源极；
一第一电阻，具有二端，其一端连接所述第二半导体的闸极，其另一端连接所述电路负电端；及
一第二电阻，具有二端，其一端连接所述电路正电端，其另一端连接所述第二半导体的汲极。
2.如权利要求1所述的直流电源短路保护装置，其特征在于，所述第一半导体为N通道金属氧化半导体场效晶体管、N型晶体管、N型绝缘闸极双极晶体管及其组合。
3.如权利要求1所述的直流电源短路保护装置，其特征在于，所述第二半导体为N通道金属氧化半导体场效晶体管、N型晶体管、N型绝缘闸极双极晶体管及其组合。
4.如权利要求1所述的直流电源短路保护装置，其特征在于，所述第一半导体的源极与所述第二半导体的源极连接所述直流电源的负电端，所述电路正电端连接所述直流电源的正电端。
5.如权利要求1所述的直流电源短路保护装置，其特征在于，所述电路正电端连接所述负载的正电端，所述电路负电端连接所述负载的负电端。
6.一种直流电源短路保护装置，供一直流电源在对一电路供电过程中提供负载短路保护功能，其特征在于，所述电路具有一电路正电端与一电路负电端，所述直流电源短路保护装置包括：
一第三半导体，具有一汲极、一源极与一闸极，所述第三半导体的汲极连接所述电路正电端；
一第四半导体，具有一汲极、一源极与一闸极，所述第四半导体的汲极连接所述第三半导体的闸极，所述第四半导体的源极连接所述第三半导体的源极；
一第三电阻，具有二端，其一端连接所述电路正电端，其另一端连接所述第四半导体的闸极；及
一第四电阻，具有二端，其一端连接所述第四半导体的汲极，其另一端连接所述电路负电端。
7.如权利要求6所述的直流电源短路保护装置，其特征在于，所述第三半导体为P通道金属氧化半导体场效晶体管、P型晶体管、P型绝缘闸极双极晶体管及其组合。
8.如权利要求6所述的直流电源短路保护装置，其特征在于，所述第四半导体为P通道金属氧化半导体场效晶体管、P型晶体管、P型绝缘闸极双极晶体管及其组合。
9.如权利要求6所述的直流电源短路保护装置，其特征在于，所述第三半导体的源极与所述第四半导体的源极连接所述直流电源的正电端，所述电路负电端连接所述直流电源的负电端。
10.如权利要求6所述的直流电源短路保护装置，其特征在于，所述电路正电端连接所述负载的正电端，所述电路负电端连接所述负载的负电端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卢昭正，未经卢昭正许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710347664.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有较高安全性避雷器
- 下一篇：一种基于充电保护的智能终端控制系统
