[发明专利]放大电路、低噪声放大器、用于进行放大的装置和方法

权利要求书

1.一种用于对无线电信号进行放大的放大电路，包括：

第一放大级，所述第一放大级被配置为对在第一节点处接收的输入信号进行放大以获得中间信号；

级联电路，所述级联电路被配置为对所述中间信号进行放大以获得在第二节点处提供的第一输出信号；

第二放大级，所述第二放大级被配置为对所述中间信号进行放大以获得第二输出信号；以及

反馈电路，将所述第二节点耦合到所述第一节点以对所述放大电路的输入阻抗进行设置，

其中所述第一输出信号和所述第二输出信号形成所述放大电路的差分输出。

2.如权利要求1所述的放大电路，其中，所述第一放大级和所述第二放大级中的一个是反相放大级，而另一个是非反相放大级。

3.如权利要求1所述的放大电路，其中，所述第一放大级包括与所述级联电路级联的推挽级。

4.如权利要求1所述的放大电路，其中，所述第一放大级包括与所述级联电路级联的第一推挽级，并且其中所述第二放大级包括被配置为对所述中间信号进行放大的第二推挽级。

5.如权利要求1所述的放大电路，其中，所述第一放大级包括以推挽布置耦合的至少两个晶体管，并且其中所述级联电路包括以推挽布置耦合在所述第一放大级的所述至少两个晶体管之间的至少两个晶体管。

6.如权利要求5所述的放大电路，其中，所述第一放大级的所述至少两个晶体管是具有不同沟道类型的两个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。

7.如权利要求5所述的放大电路，其中，所述级联电路的所述至少两个晶体管是具有不同沟道类型的两个MOSFET。

8.如权利要求5所述的放大电路，其中，所述第一放大级的第一晶体管被耦合到参考电位或负电源电压，并且其中所述第一放大级的第二晶体管被耦合到正电源电压。

9.如权利要求8所述的放大电路，其中：

所述级联电路的第一晶体管被耦合到所述第一放大级的所述第一晶体管；

所述级联电路的所述第一晶体管被耦合到所述级联电路的第二晶体管；并且

所述级联电路的所述第二晶体管被耦合到所述第一放大级的所述第二晶体管。

10.如权利要求1到9中的一项所述的放大电路，其中，所述第二放大级包括具有至少两个晶体管的推挽级。

11.如权利要求10所述的放大电路，其中，所述第二放大级的所述至少两个晶体管是具有不同沟道型的两个MOSFET。

12.如权利要求11所述的放大电路，其中，所述第二放大级的所述至少两个晶体管以推挽布置彼此耦合，其中所述第二放大级的第一晶体管被耦合到负电源电压或参考电位，并且其中所述第二放大级的第二晶体管被耦合到正电源电压。

13.如权利要求9所述的放大电路，其中：

所述第二放大级包括具有两个晶体管的推挽级；

所述第二放大级的所述两个晶体管以推挽布置彼此耦合；

所述第二放大级的第一晶体管被耦合到负电源电压或参考电位；

所述第二放大级的第二晶体管被耦合到正电源电压；

所述第二放大级的所述第一晶体管被耦合到所述第一放大级的所述第一晶体管和所述级联电路的所述第一晶体管；

所述第二放大级的所述第二晶体管被耦合到所述第一放大级的所述第二晶体管和所述级联电路的所述第二晶体管。