[发明专利]一种LED驱动电路的保护方法和LED驱动电路

说明书

技术领域

本申请涉及电路领域，具体涉及一种LED驱动电路的保护方法和LED驱动电路。

背景技术

发光二极管简称为LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。

LED是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。

LED驱动需要精确控制其电流，还需要调光，现有技术一般采用MOS管实现LED驱动。具体地，在串联有MOS管的LED驱动电路中，MOS管用于精确控制通过LED灯串的电流，控制LED灯串的开关以及调节LED灯串的亮度。

在选择驱动电路中MOS管时，技术人员需要按照遵循以下原则：

1.导通电阻尽可能的小，因为小的导通电阻可以减少发热，提高效率；

2、MOS管的漏极和源极的耐压尽可能的高，保证在MOS管关断时，驱动电路的供电电压不会击穿MOS管。

然而，发明人在实现本申请的过程中发现，在MOS管制造时，导通电阻与MOS管的耐压是矛盾的，因为高压MOS管的导通电阻通常较大。因此，如何在使用低导通电阻的MOS管时保证其在关断电路时不被驱动电路的供电电压击穿，成为亟需解决的技术问题。

发明内容

本申请提供了一种LED驱动电路的保护方法及LED驱动电路，以实现对串联有低压MOS管和LED灯串的LED驱动电路的保护，保证LED驱动电路中的低压MOS管在关断电路时不被驱动电路的供电电压击穿。

本申请中所述低压MOS管和高压MOS管是根据其耐压值来进行区分的。本领域的技术人员通常将耐压值低于100V的MOS管称为低压MOS管，耐压值高于100V的MOS管称为高压MOS管。

为了达到上述技术目的，本申请提出了一种LED驱动电路的保护方法，该方法应用于串联有低压MOS管和LED灯串的LED驱动电路中，所述方法具体包括：

在所述低压MOS管的源极和漏极并联分流电阻；

所述分流电阻，用于当低压MOS管关断时与LED灯串串联形成回路，使所述LED灯串通过电流。

优选的，所述分流电阻，用于在所述低压MOS管关断时，使所述LED灯串通过的电流小于所述LED灯串的正常工作电流。

优选的，所述分流电阻为兆欧级分流电阻。

优选的，在LED驱动电路中串联有采样电阻，所述采样电阻用于采集通过LED灯串的通过电流。

相应的，本申请还提出了一种LED驱动电路，包括低压MOS管和与所述低压MOS管串联的LED灯串，其特征在于，所述LED驱动电路还包括：并联在所述低压MOS管的源极和漏极的分流电阻，

所述分流电阻，用于当低压MOS管关断时与LED灯串串联形成回路，使LED灯串通过电流。

优选的，所述分流电阻，用于在所述低压MOS管关断时，使所述LED灯串的通过电流小于所述LED灯串的正常工作电流。

优选的，所述分流电阻为兆欧级分流电阻。

优选的，所述LED驱动电路中串联有采样电阻，所述采样电阻用于采集LED灯串的通过电流。

与现有技术相比，本申请实施例所提出的技术方案的有益技术效果包括：

本申请公开了一种LED驱动电路的保护方法和LED驱动电路，该方法应用于串联有低压MOS管和LED灯串的LED驱动电路中，通过在低压MOS管的源极和漏极并联分流电阻，当MOS管关断电路时，所述分流电阻与LED灯串串联形成回路，使得驱动电路的供电电压不再全部施加在MOS管上，而是基本消耗在LED灯串上，从而保护低压MOS管高电压不被击穿，达到保护LED电路和节约能源的目的。

附图说明

图1为本申请实施例提出的应用了LED驱动电路的保护方法的LED驱动电路的结构示意图；

图2为本申请实施例提出的目前LED的典型驱动电路图；

图3为本申请实施例提出的一种应用本申请的方法对图2中的LED驱动电路改进的电路图。

具体实施方式