[发明专利]一种氧化镁/聚苯乙烯复合介电材料的制备方法有效
申请号: | 201710340107.4 | 申请日: | 2017-05-15 |
公开(公告)号: | CN107245152B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 张启龙;夏宇婷;陈涛;蒋永昶;杨辉 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08K3/22;C08L25/06;C01F5/02 |
代理公司: | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人: | 周世骏 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化镁 聚苯乙烯 复合 材料 制备 方法 | ||
本发明涉及纳米复合材料技术领域,旨在提供一种氧化镁/聚苯乙烯复合介电材料的制备方法。包括:向N,N‑二甲基甲酰胺中加入聚苯乙烯,搅拌后得到透明澄清溶液;将氧化镁分散于透明澄清溶液中,得到均匀的悬浊液;将悬浊液经流延成型后,在60℃温度下干燥,得到薄膜状的氧化镁/聚苯乙烯复合介电材料。本发明利用电场在氧化镁与聚苯乙烯中分布较为均匀的特性,在较低填充体积下,提高复合材料的综合介电性能;本发明制备工艺简单,可操作性强,且原料易得到,适宜工业化生产。可通过调节填入无机填料的体积分数,调节聚合物基复合材料介电性能。无机填料填充体积低,在填充分数仅8%下得到良好的介电性能的提升,可保持聚合物良好的韧性。
技术领域
本发明涉及一种氧化镁聚合物薄膜复合材料的制备方法,属于纳米复合材料技术领域。
背景技术
聚合物复合介电材料因其易加工、稳定性好、质量轻等优点,在集成电路、器件小型化、能源存储装备和电润湿、微流体等方面广泛应用。例如,聚合物复合材料可制备成埋入式电容器,有利于电子电工领域集成电路的制备;制备高介耐击穿聚合物复合材料,提高材料的电能储能密度,有利于能源存储装置的制备;制备高介疏水绝缘聚合物复合材料,可作为疏水绝缘层,用于电润湿、微流体设备中的制备。总体来说聚合物复合材料因其优异的性能和广泛的适用性,具有深入研究的意义与价值。
聚苯乙烯作为最早应用于工业生产的聚合物之一,具有稳定的物理和化学结构,抗吸水防潮性能优异,熔融时热稳定性和流动性良好,高频特性好,易于各种方式加工成型,适宜大规模生产。但聚苯乙烯自身的介电常数较低,大大限制了其在电容、储能、电润湿等介电领域的应用。
发明内容
本发明要解决的问题是,克服现有技术中的不足,提供一种氧化镁/聚苯乙烯复合介电材料的制备方法。
为解决技术问题,本发明所采用的技术方案是:
提供一种氧化镁/聚苯乙烯复合介电材料的制备方法,包括下述步骤:
(1)向N,N-二甲基甲酰胺中加入聚苯乙烯,搅拌后得到透明澄清溶液;将氧化镁分散于透明澄清溶液中,得到均匀的悬浊液;
其中,N,N-二甲基甲酰胺与聚苯乙烯的质量比为5~10∶1;氧化镁与透明澄清溶液的质量比为2%~8%;
(2)将悬浊液经流延成型后,在60℃温度下干燥,得到薄膜状的氧化镁/聚苯乙烯复合介电材料。
本发明中,所述氧化镁通过下述方式制备获得:
a、将四水乙酸镁(Mg(Ac)2)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)加入乙二醇中,四水乙酸镁与聚乙烯吡咯烷酮的质量比为1∶100;搅拌后移入接有冷凝回流装置的反应器中,控制反应温度在180~185℃之间;反应2小时后,自然冷却至室温;
在添加反应物时,控制四水乙酸镁与乙二醇的质量比为1∶29以制备片状氧化镁;或者,控制四水乙酸镁与乙二醇的质量比为1∶39,以制备颗粒状氧化镁;
b、离心分离反应得到的浑浊液体,先用去离子水再用乙醇交替洗涤沉淀产物至少两轮后,将沉淀产物在60℃的温度下干燥,得到前驱体氢氧化镁;
c、将前驱体氢氧化镁在500℃的空气中灼烧,得到氧化镁。
本发明中,步骤(1)中所述的搅拌是指:在室温下搅拌6h。
本发明中,在步骤(1)中添加氧化镁之前,先将氧化镁在细胞粉碎机中超声分散处理1h。
本发明中,步骤(1)中所述的分散是指:超声分散处理2h后再以磁力搅拌12h。
本发明中,将步骤(1)所得悬浊液移至抽真空装置中,抽真空1h以排除气泡。
本发明中,步骤(2)中所述的干燥时间为6h。
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