[发明专利]角度传感器装置和用于角度传感器装置的方法有效
| 申请号： | 201710333711.4 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107449354B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | U.奥瑟莱希纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/30 | 分类号： | G01B7/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 卢江;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 角度 传感器 装置 用于 方法 | ||
1.角度传感器装置，其包括：
- 至少两个传感器衬底，所述至少两个传感器衬底被布置为使得所述至少两个传感器衬底占据关于转轴不同的角位置，
- 其中至少一个传感器衬底包括两个磁场传感器元件，所述两个磁场传感器元件被布置为使得所述两个磁场传感器元件占据关于所述转轴的不同的角位置，
- 组合装置，所述组合装置被设立为使得确定由所述两个磁场传感器元件测量的磁场大小的线性内插，其中所述线性内插被用于确定所述两个磁场传感器元件之间的位置处的磁场。
2.根据权利要求1所述的角度传感器装置，其中，在所述转轴上或者绕着所述转轴耦合有或者能耦合有如下元件，所述元件具有磁场源。
3.根据上述权利要求之一所述的角度传感器装置，其中，所述至少两个传感器衬底通过功能元件彼此刚性连接。
4.根据权利要求1或2所述的角度传感器装置，其中，所述磁场传感器元件彼此间隔开地来布置。
5.根据权利要求1或2所述的角度传感器装置，其中，所述磁场传感器元件具有相同的传感器类型。
6.根据权利要求5所述的角度传感器装置，其中，所述传感器类型是如下传感器类型中的一个：
- MR传感器，
- AMR传感器，
- GMR传感器，
- TMR传感器，
- 霍尔传感器，
- MAG-FET。
7.根据权利要求6所述的角度传感器装置，其中，所述霍尔传感器是垂直霍尔传感器。
8.根据权利要求1或2所述的角度传感器装置，其中，所述磁场传感器元件在传感器衬底上具有至少300μm的间距。
9.根据权利要求1或2所述的角度传感器装置，其中，所述磁场传感器元件在传感器衬底上具有至少500μm的间距。
10.根据权利要求1或2所述的角度传感器装置，其中，所述磁场传感器元件在传感器衬底上具有至少1mm的间距。
11.根据权利要求1或2所述的角度传感器装置，其中，所述磁场传感器元件在所述传感器衬底上比相应的磁场传感器元件的大小更远地彼此间隔开。
12.根据权利要求1或2所述的角度传感器装置，其中，所述传感器衬底是半导体元件。
13.根据权利要求1或2所述的角度传感器装置，其中，所述传感器衬底是芯片。
14.根据权利要求1或2所述的角度传感器装置，其中，借助于多个系数来确定所述线性内插，其中所述系数中的至少一个系数被存储在存储器中。
15.根据权利要求14所述的角度传感器装置，其中，在所述至少两个传感器衬底彼此刚性地耦合之后，对所述存储器进行编程。
16.根据权利要求1或2所述的角度传感器装置，其中，所述传感器衬底彼此平行地或者基本上平行地来布置。
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