[发明专利]一种蓄电池单体专用的集成电路的实现方法有效

专利信息
申请号: 201710323494.0 申请日: 2017-05-10
公开(公告)号: CN107040025B 公开(公告)日: 2020-02-28
发明(设计)人: 邹进;黄尚南;张妍;余侃胜;徐在德;谢国强;王志成;桂小智;黄扬琪;黄锦燕;周珊 申请(专利权)人: 国网江西省电力有限公司电力科学研究院;国家电网公司;广州泓淮能源科技有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02H7/18
代理公司: 南昌市平凡知识产权代理事务所 36122 代理人: 姚伯川
地址: 330096 江西*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 蓄电池 单体 专用 集成电路 实现 方法
【权利要求书】:

1.一种蓄电池单体专用的集成电路的实现方法,其特征在于,所述集成电路包括蓄电池单体采集保护专用芯片,蓄电池单体,外部积分电容C,温敏电阻,CPU控制模块及辅助电路;CPU控制模块与蓄电池单体采集保护专用芯片相关端口相连接;蓄电池单体采集保护专用芯片与蓄电池单体连接;外部积分电容C连接蓄电池单体采集保护专用芯片的引脚CT1和引脚CT2;温敏电阻一端连接蓄电池单体采集保护专用芯片的引脚VT,温敏电阻另一端接地;所述集成电路在蓄电池单体过充电或过放电状态下,通过MOS管开关切换蓄电池单体的充放电回路,保证蓄电池单体的安全性,延长使用寿命;

所述蓄电池单体采集保护专用芯片包括集成蓄电池单体过充均衡电路、过放开路保护电路和电压温度采集积分电路;

所述蓄电池单体采集保护专用芯片通过引脚VB+、VB-分别采集蓄电池单体的正极、负极电压信号,当输入引脚VB+与VB-之间的电压差高于过充参考电压V1时,过充均衡电路上的MOS管开关导通,使蓄电池单体上并联电阻R,通过电阻分流消耗过充电量,保护蓄电池单体不因过充导致性能下降;当输入引脚VB+与VB-之间的电压差低于过放参考电压V2时,过放开路保护电路上的MOS管导通,使蓄电池单体反向并联二极管D导通,避免过放电对蓄电池单体的损害及开路造成的失电风险;其中引脚VT连接温敏电阻作为温度信号采集输入;蓄电池单体采集保护专用芯片的引脚CT1与引脚CT2分别连接积分电容的两端,引脚Vref输入基准电压值,引脚CTL0/CTL1/CTL2连接CPU输入控制模块,CPU输出控制模块引脚CTL1和引脚CTL2切换积分电路的模拟信号量输入,通过积分电容对模拟信号进行积分,将模拟信号转化成时间信号,由引脚OUT连接CPU计数器控制信号进行计数,实现电压温度的高精度采集;蓄电池单体采集保护专用芯片通过引脚VDD及GND由外部进行供电,接入蓄电池单体采集保护专用芯片的工作电压和接地;

所述过充均衡电路包括运算放大器、电阻及MOS管;电压跟随器和电压比较器分别各由一个运算放大器构成;引脚VB+与VB-作为电压跟随器的输入端;电压跟随器的输出端通过电阻连接电压比较器的同相输入端;过充参考电压V1作为电压比较器的反向输入端,电压比较器的输出连接MOSFET1的栅极;MOSFET1的源极连接MOSFET2的栅极,并通过电阻连接所述专用芯片的引脚VDD,MOSFET1的漏极接所述专用芯片的引脚GND;MOSFET2的源极连接所述专用芯片的引脚VB1+/VB2+,MOSFET2的漏极通过电阻连接所述专用芯片的引脚VB1-/VB2-;

所述过放开路保护电路由运算放大器,电阻,蓄电池单体反向并联二极管D及MOS管组成;电压跟随器和电压比较器分别各由一个运算放大器构成;引脚VB+与VB-作为电压跟随器的输入端,电压跟随器的输出端通过电阻连接电压比较器的反相输入端,过放参考电压V2作为电压比较器的同向输入端,电压比较器的输出连接MOSFET3的栅极,MOSFET3的源极连接MOSFET4的栅极和通过电阻连接所述专用芯片的引脚VDD,MOSFET3的漏极连接所述专用芯片的引脚GND;MOSFET4的源极连接所述专用芯片的引脚VB1+/VB2+,MOSFET3的漏极连接二极管的负极,二极管的正极连接所述专用芯片的引脚VB1-/VB2-;

所述电压温度采集积分电路由电子开关,运算放大器,电阻,内部积分电容C1,MOS管及外部积分电容C组成;电压跟随器、一级电压比较器和二级电压比较器分别各由一个运算放大器构成;电子开关由CPU输出控制信号至CTL1/CTL2,控制切换VB+与VB-的电压差、Vref或VT的模拟信号作为电压跟随器的输入端,内部积分电容C1连接电压跟随器的输出端和一级电压比较器的反向输入端,内部积分电容C1的输出端与引脚Vref分别作为一级电压比较器的输入端,外部积分电容C通过引脚CT1/CT2分别连接在一级电压比较器的反向输入端与输出端,一级电压比较器的输出端连接二级电压比较器的同相输入端,引脚CTL0连接一级电压比较器的反向输入端及二级电压比较器的反向输入端,二级电压比较器的输出端作为MOSFET5的控制信号。

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