[发明专利]一种低温系数电阻元件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710320582.5 申请日: 2017-05-09
公开(公告)号: CN107033551A 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 刘刚;王梅凤;汤成平;高进;唐敏;薛云峰 申请(专利权)人: 句容市博远电子有限公司
主分类号: C08L63/04 分类号: C08L63/04;C08K13/04;C08K7/06;C08K3/22;C08K3/36;H01C7/06;H01C17/00
代理公司: 江苏圣典律师事务所32237 代理人: 吴庭祥
地址: 212400 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 低温 系数 电阻 元件 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电阻技术领域,尤其涉及一种低温系数电阻元件及其制备方法。

背景技术

现有的电阻中,若按形成电阻体的材料进行分类,可分为金属氧化膜电阻器和碳膜电阻器两大类。金属氧化膜电阻器中形成电阻体的材料是金属氧化物;而碳膜电阻器中形成电阻体的材料是碳。使用过程中,电流通过电阻,电阻发热从而导致温度升高,电阻值会随之发生变化。而金属氧化膜电阻器和碳膜电阻器的温度系数都比较高,也就是说它们的电阻值随温度的变化而变化的程度较大。利用这个特性制成的电阻,也可称为热敏电阻。这类型电阻会给需要电阻值变化小的应用场合带来诸多不便。

以高分子导电复合材料为基材的电阻,在临界转变温度的前后,使电阻率发生几个数量级的变化,即PTC 的电阻可随其使用的环境温度的升高而增加,从而可以在较高温度下减小或切断电流,起到过流、过温保护,目前,这类器件已经在各种电路保护装置中大量使用,如锂离子电池、汽车马达等。一般的,填充导电粒子的结晶高分子复合材料可表现出正温系数PTC 现象,也就是说在较低的温度时,这类导体呈现较低的电阻率,而当温度升高到达高分子聚合物熔点以上,电阻率会急速升高。

发明内容

本发明的实施例提供一种低温系数电阻元件及其制备方法,利用合金材料制备电阻体,温度系数低,电阻值相对稳定。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

本发明的实施例提供一种低温系数电阻元件,包括以下的重量份数的原料制备而成:高分子聚合物40-65份,导电电阻体25-50份,无机填料1-10份,硅烷偶联剂1-5份,抗氧剂0.1-2份。

进一步的,所述的一种低温系数电阻元件是以下重量份数的原料制备而成:高分子聚合物50-60份,导电电阻体30-40份,无机填料5-8份,硅烷偶联剂1-3份,抗氧剂0.5-1份。

进一步的,所述高分子聚合物是二酚基丙烷型环氧树脂,缩水甘油酯类环氧树脂,酚醛多环氧树脂中的一种或多种混合物。

进一步的,所述导电电阻体是铜、镍、锰三种金属的混合物。

进一步的,所述导电电阻体是由以下重量份数的原料制备而成:铜55-60份,镍20-25份,锰15-20份。

进一步的,所述无机填料是三氧化二铝,二氧化硅,三氧化二镁,氧化钙的混合物。

进一步的,所述无机填料是由以下重量份数的原料制备而成:三氧化二铝80-90份,二氧化硅5-10份,三氧化二镁5-10份,氧化钙1-5份。

进一步的,所述抗氧剂是丁基羟基茴香醚,二丁基羟基甲苯,叔丁基对苯二酚中的一种或多种混合物。

本发明还提供了一种低温系数电阻元件的制备方法,包括:

S1、将铜、镍、锰三种金属在1450℃-1550℃条件下熔炼30-60分钟,拉取直径为0.6-1毫米的合金丝;

S2、将步骤1得到的所述合金丝在800℃条件中保温10h,自然冷却;

S3、混合步骤2得到的合金和剩余粉料,在乙醇中研磨成纳米粉末;

S4、将步骤3得到的纳米粉末加入密炼机进行混炼,混炼温度200-250℃,混炼30-60分钟,压成薄片;

S5、将步骤4得到的薄片按不同规格冲程各种尺寸的芯片,得到所述低温系数电阻元件。

本发明实施例提供的一种低温系数电阻及其制备方法,具有以下优点:

(1)制备工艺简单可行,生产成本低廉;(2)组分分散均匀,晶粒大小匀称;(3)温度系数低,电阻值相对稳定。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

实施例1

一种低温系数电阻元件,由下列重量份数的原料制备而成:酚醛多环氧树脂40-50份,铜15-25份,镍5-10份,锰5-8份,三氧化二铝0.8-0.9份,二氧化硅0.05-0.1份,三氧化二镁0.05-0.1份,氧化钙0.01-0.05份, 硅烷偶联剂1-3份,丁基羟基茴香醚0.1-0.8份。

一种低温系数电阻元件制备方法,包括:

S1、将铜、镍、锰三种金属在1450℃条件下熔炼60分钟,拉取直径为1毫米的合金丝;

S2、将步骤1得到的所述合金丝在800℃条件中保温10h,自然冷却;

S3、混合步骤2得到的合金和剩余粉料,在乙醇中研磨成纳米粉末;

S4、将步骤3得到的纳米粉末加入密炼机进行混炼,混炼温度200℃,混炼60分钟,压成薄片;

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