[发明专利]量子点光刻胶、量子点彩膜基板和显示装置有效
申请号: | 201710319686.4 | 申请日: | 2017-05-08 |
公开(公告)号: | CN107102514B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 席玉坤;方龙;王允军 | 申请(专利权)人: | 苏州星烁纳米科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;C09K11/02;G02F1/1335 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 光刻 点彩膜基板 显示装置 | ||
1.一种量子点光刻胶,包括光刻胶母液和均匀分散在所述光刻胶母液中的量子点,所述光刻胶母液包括粘合剂、光刻胶单体、光引发剂或热引发剂、可溶解光刻胶的溶剂和活性添加剂,其特征在于,所述量子点的表面配体包括能与所述光刻胶单体发生共聚的可聚合基团,所述量子点光刻胶经光照或者加热后,所述量子点的表面配体与所述光刻胶单体发生共聚,所述量子点的表面配体的末端基团为所述光刻胶单体,所述量子点材料的表面配体还包括分子量在1000以内的并且可与所述光刻胶母液均匀混溶的交联基团,所述交联基团包括具有路易斯碱功能的取代或者未被取代的聚硅氧链段。
2.根据权利要求1所述的量子点光刻胶,其特征在于:所述量子点的质量百分比为5%~50%,所述粘合剂的质量百分比为5%~30%,所述单体的质量百分比为 2%~18%,所述光引发剂的质量百分比为0.5%~6%,所述可溶解光刻胶的溶剂的质量百分比为20%~70%,所述活性添加剂的质量百分比为1%~5%。
3.根据权利要求1或2所述的量子点光刻胶,其特征在于:所述量子点光刻胶还包括均匀分散在所述光刻胶母液中的滤光材料,所述滤光材料用于吸收未激发量子点材料的光线。
4.根据权利要求3所述的量子点光刻胶,其特征在于:所述滤光材料在所述量子点光刻胶中的质量分数范围为0.1%-5%。
5.根据权利要求1所述的量子点光刻胶,其特征在于:所述可聚合基团包括双键、取代或者不取代的丙烯基。
6.根据权利要求1所述的量子点光刻胶,其特征在于:所述交联基团还包括被取代或未被取代的聚乙二醇链段。
7.根据权利要求1所述的量子点光刻胶,其特征在于:所述量子点光刻胶还包括均匀分散在所述光刻胶母液中的光扩散剂。
8.根据权利要求7所述的量子点光刻胶,其特征在于:所述光扩散剂为具有表面改性基团的无机纳米颗粒,所述表面改性基团与所述量子点的表面配体交联混溶,所述量子点吸附在所述光扩散剂表面。
9.根据权利要求8所述的量子点光刻胶,其特征在于:所述量子点光刻胶经光照或者加热后,所述无机纳米颗粒的表面改性基团与所述量子点的可聚合基团和所述光刻胶单体发生共聚。
10.根据权利要求1所述的量子点光刻胶,其特征在于:所述量子点为核壳结构,所述核包括CdSe、CdS、CdTe、ZnTe、ZnSe、ZnS、InP、InAs、GaN、GaP、InZnP、InGaP、InGaZnP、GaAs、CdZnSe、CdZnSeS、CdZnS、CdZnTe、InZnAs中的至少一种,所述壳包括ZnS、ZnSe、ZnSeS、CdS、CdSe、CdSeS、ZnTe、CdTe、CdZnTe中的至少一种。
11.一种量子点彩膜基板,包括衬底基板和分布在所述衬底基板上的多个像素,每个像素包括若干不同颜色的彩色子像素,其特征在于,至少一个所述彩色子像素采用权利要求1-10中任一所述的量子点光刻胶制得。
12.根据权利要求11所述的量子点彩膜基板,其特征在于:所述彩色子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,所述红色子像素包括红光量子点材料,所述绿色子像素包括绿光量子点材料;所述蓝色子像素包括蓝光量子点材料或透明材料。
13.一种显示装置,其特征在于,包括背光源和权利要求11-12中任一所述的量子点彩膜基板,所述背光源发出的光线波长小于所述量子点彩膜基板中的量子点材料被激发后发出的光线波长。
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