[发明专利]一种放大器漏极电源电压切换电路有效
申请号: | 201710316916.1 | 申请日: | 2017-05-08 |
公开(公告)号: | CN107222177B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 李磊;雷国忠;杨莉;湛婷 | 申请(专利权)人: | 西安电子工程研究所 |
主分类号: | H03F3/21 | 分类号: | H03F3/21;H03F3/24;H03G3/30;G01S7/282 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 刘新琼 |
地址: | 710100 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 放大器 电源 电压 切换 电路 | ||
1.一种放大器漏极电源电压切换电路,其特征在于包括非门D1、NPN三极管V1、NPN三级管V2、MOSFET开关管V3、MOSFET开关管V4、二极管V5、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电阻R6;控制信号分为上下两个支路,上支路与电阻R1的一端相连,电阻R1的另一端与NPN三极管V1的B极连接,NPN三极管V1的E极接地,C极与电阻R5的一端连接,电阻R5的另一端与MOSFET开关管V3的栅极连接,MOSFET开关管V3的栅极和源极之间通过电阻R3连接在一起,源极连接到电源VCC1,MOSFET开关管V3的漏极为电压输出端VO;控制信号的下支路,先经过非门D1,再连接到电阻R2的一端,电阻R2的另一端与NPN三级管V2的B极相连,NPN三级管V2的E极接地,C极经过电路R6与MOSFET开关管V4的栅极连接,MOSFET开关管V4的栅极和源极之间通过电阻R4连接在一起,源极连接到电源VCC2,MOSFET开关管V4的漏极电压经过二极管V5到达电压输出端VO,VO经过漏极匹配支节接入到射频放大器的漏极;所述的电源VCC1大于电源VCC2。
2.根据权利要求1所述的一种放大器漏极电源电压切换电路,其特征在于所述的非门D1的型号为SN74LVC1GU04DB。
3.根据权利要求1所述的一种放大器漏极电源电压切换电路,其特征在于所述的NPN三极管V1和NPN三级管V2的型号为PMBT2222。
4.根据权利要求1所述的一种放大器漏极电源电压切换电路,其特征在于所述的MOSFET开关管V3和MOSFET开关管V4的型号为CSD25302Q2。
5.根据权利要求1所述的一种放大器漏极电源电压切换电路,其特征在于所述的二极管V5的型号为ES2B。
6.根据权利要求1所述的一种放大器漏极电源电压切换电路,其特征在于所述的电阻R1和电阻R2的阻值为100欧姆。
7.根据权利要求1所述的一种放大器漏极电源电压切换电路,其特征在于所述的电阻R3和电阻R4的阻值为510欧姆。
8.根据权利要求1所述的一种放大器漏极电源电压切换电路,其特征在于所述的电阻R5和电阻R6的阻值为5.1欧姆。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子工程研究所,未经西安电子工程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710316916.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。