[发明专利]等离子体装置有效
申请号: | 201710316726.X | 申请日: | 2017-05-08 |
公开(公告)号: | CN108882494B | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 苏恒毅 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46 |
代理公司: | 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 | 代理人: | 陈亚英 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 装置 | ||
1.一种等离子体装置,所述等离子体装置包括反应腔室和线圈,所述反应腔室用于容纳待处理晶片,所述线圈设置在所述反应腔室外侧,其特征在于,所述等离子体装置还包括导磁件,所述导磁件内部设置有容纳空间,所述线圈设置在所述容纳空间内,以减小所述线圈上的电流,且能够提高耦合到所述反应腔室内的磁场的强度;其中,所述导磁件套设在所述线圈外侧,所述线圈为立体螺旋线结构,所述导磁件为筒状结构或立体螺旋线结构,所述导磁件的内侧壁上设置有凹槽,所述凹槽的形状与所述线圈的形状相匹配,以形成所述容纳空间,所述等离子体装置还包括呈平面状的介质耦合窗,所述介质耦合窗与所述反应腔室顶部密闭连接,所述导磁件和所述线圈均设置在所述介质耦合窗上方,所述导磁件的底面设置于所述介质耦合窗的背离所述反应腔室一侧的表面上,且所述凹槽的开口朝向所述反应腔室的外侧。
2.根据权利要求1所述的等离子体装置,其特征在于,所述凹槽的沿垂直于所述介质耦合窗方向的深度以及所述凹槽的沿平行于所述介质耦合窗方向的宽度不小于其所容纳的所述线圈的直径。
3.根据权利要求2所述的等离子体装置,其特征在于,所述凹槽的沿垂直于所述介质耦合窗方向的深度以及沿平行于所述介质耦合窗方向的宽度均为7-11mm,所述凹槽所容纳的所述线圈的直径为6-10mm。
4.根据权利要求1所述的等离子体装置,其特征在于,所述等离子体装置还包括射频电源和匹配网络;所述线圈的一端通过所述匹配网络与所述射频电源电性连接,所述线圈的另一端与接地端电性连接;所述射频电源用于在所述线圈上产生电流,以激发耦合到所述反应腔室内的磁场。
5.根据权利要求1所述的等离子体装置,其特征在于,所述导磁件由铁氧体材料制成。
6.根据权利要求5所述的等离子体装置,其特征在于,所述铁氧体材料的相对导磁率大于等于80。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710316726.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。