[发明专利]辐射成像装置有效
申请号: | 201710300314.7 | 申请日: | 2017-05-02 |
公开(公告)号: | CN107438164B | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
发明(设计)人: | 亀井智史 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H04N5/325 | 分类号: | H04N5/325;H04N5/341;H04N5/355;H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378 |
代理公司: | 11293 北京怡丰知识产权代理有限公司 | 代理人: | 迟军<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辐射 成像 装置 | ||
1.一种辐射成像装置,包括图像捕获设备和控制器,图像捕获设备包括布置为阵列状的多个传感器的传感器阵列,并且响应于触发器控制器执行控制而驱动图像捕获设备,
其中控制器被配置为:
通过在对应于预定帧速率的时段重复地执行用于从传感器阵列获得一帧的图像数据的操作来执行放射线成像,该执行的操作通过驱动图像捕获设备而与针对传感器阵列的一次辐射照射同步,
在接收到表示放射线成像中断的指令时,转变到非捕获模式,
在接收到表示放射线成像开始的指令时,转变到捕获模式,以及
在捕获模式下,使用同步信号作为触发器驱动图像捕获设备,该同步信号用于在该时段重复所述操作和辐射照射之间的同步控制,
其特征在于,
控制器包括信号发生器,其被配置为当控制器处于非捕获模式时生成与同步信号不同的其它信号,及
在非捕获模式下,控制器被配置为使用其它信号作为触发器而非使用同步信号来驱动图像捕获设备,从而抑制非捕获模式下传感器阵列的温度相对于捕获模式下传感器阵列的温度的下降来预防图像捕获设备的功耗的下降。
2.如权利要求1所述的辐射成像装置,其中,当中断放射线成像时,控制器被配置为从捕获模式转变到非捕获模式,以及当开始被中断的放射线成像时,控制器从非捕获模式转变到捕获模式。
3.如权利要求1所述的辐射成像装置,其中,在非捕获模式下,控制器被配置为周期性地驱动传感器阵列。
4.如权利要求1所述的辐射成像装置,所述信号发生器被配置为基于以下之一生成其它信号:
-控制器接收同步信号的时段;
-固定时段;以及
-基于传感器阵列的温度的时段。
5.如权利要求1所述的辐射成像装置,其中,当控制器接收到作为表示放射线成像中断的指令的信号和命令中的一个时,信号发生器被配置为周期性地生成其它信号。
6.如权利要求1所述的辐射成像装置,其中,在非捕获模式下,控制器被配置为基于传感器阵列的温度来驱动图像捕获设备。
7.如权利要求1所述的辐射成像装置,其中,在非捕获模式下,控制器被配置为在存储器中保持通过驱动图像捕获设备而获得的信号,作为用于偏移校正的信号。
8.如权利要求1所述的辐射成像装置,其中,图像捕获设备还包括用于驱动多个传感器的第一电路单元,以及用于从多个传感器读出信号的第二电路;
所述多个传感器中的每一个包括被配置为检测辐射的检测元件,以及被配置为输出检测元件的信号的多个元件,以及
在捕获模式和非捕获模式下,所述多个元件以相同的次序被第一电路单元驱动,同时将电压施加到多个传感器的各个检测元件。
9.如权利要求1所述的辐射成像装置,其中非捕获模式下传感器阵列的平均功耗落在捕获模式下传感器阵列的平均功耗的±20%的范围以内。
10.如权利要求1所述的辐射成像装置,其中传感器阵列由CMOS图像传感器芯片形成。
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