[发明专利]用于检测低功率射频包络的电路、系统及其方法

权利要求书

1.一种电路，其包括：

充电晶体管，其用于控制供应到输出电容器的电荷，其中供应到所述输出电容器的所述电荷产生输出包络信号；

第一输入电容器，其用于将输入信号的第二极性端耦合到所述充电晶体管的栅极；

第二输入电容器，其用于将所述输入信号的第一极性端耦合到第一二极管，其中所述第一二极管可操作以响应于所述输入信号的所述第一极性端的正偏移而将电荷耦合到所述第一输入电容器及所述充电晶体管的所述栅极；及

第三输入电容器，其用于将所述输入信号的所述第二极性端耦合到与所述第一二极管串联耦合的第二二极管，其中所述第一及第二二极管可操作以响应于所述输入信号的所述第二极性端的正偏移而将电荷耦合到所述第一输入电容器及所述充电晶体管的所述栅极。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第二输入电容器将所述输入信号的所述第一极性端耦合到所述充电晶体管的所述栅极。

3.根据权利要求2所述的电路，其中所述输入信号的所述第二极性端耦合到所述第一输入电容器的第一端子，且其中所述第一输入电容器的第二端子耦合到所述第一二极管的阴极。

4.根据权利要求3所述的电路，其中所述输入信号的所述第一极性端耦合到所述第一二极管的阳极，其中所述第一二极管响应于所述输入信号的所述第一极性端的正偏移而正向导通，且其中所述第二二极管基本上阻止通过所述第一极性端的所述正偏移而供应的电荷将所述第三输入电容器放电。

5.根据权利要求4所述的电路，其中所述第二二极管响应于所述输入信号的所述第二极性端的正偏移而正向导通，且其中所述第一二极管响应于所述第二二极管的所述正向导通而正向导通。

6.根据权利要求4所述的电路，其中所述第二输入电容器与所述第三输入电容器相比具有较大电容。

7.根据权利要求1所述的电路，其中所述输入信号是响应于待发射信息而受门控的射频信号。

8.根据权利要求7所述的电路，其中所述输出包络信号提供对所述待发射信息的指示。

9.根据权利要求8所述的电路，其中对所述待发射信息的所述指示将所述电路从静态模式唤醒。

10.根据权利要求1所述的电路，其中所述输入信号的所述输出包络信号是响应于由所述输出电容器所存储的所述电荷而产生。

11.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一及第二二极管具有大于所述输入信号的AC分量的峰值电压的量值的两倍的电压阈值。

12.根据权利要求1所述的电路，其中来自所述输入信号的电荷在所述输入信号的所述第一极性端的正偏移期间耦合到所述输出电容器，且其中来自所述输入信号的电荷在所述输入信号的所述第二极性端的正偏移期间耦合到所述输出电容器。