[发明专利]一种H桥驱动电路

权利要求书

1.一种H桥驱动电路，其包括电源端VCC和接地端GND，还包括分别构成所述H桥驱动电路的半桥电路的第一驱动模块和第二驱动模块，其特征在于，所述第一驱动模块包括晶体管NM1、用于钳制晶体管NM1电压的钳位电路、晶体管NM2、用于提高晶体管NM2电压的升压电路以及用于根据外部控制信号控制所述晶体管NM1、晶体管NM2、钳位电路、升压电路动作的控制电路；所述晶体管NM2和晶体管NM1依次串联在所述电源端VCC与所述接地端GND之间；所述晶体管NM2为NMOS管；所述升压电路、晶体管NM1、晶体管NM2和钳位电路分别与所述控制电路连接；所述升压电路与所述电源端VCC、晶体管NM2分别连接；所述钳位电路与所述晶体管NM1连接。

2.根据权利要求1所述的H桥驱动电路，其特征在于，所述第二驱动模块与所述第一驱动模块结构对称。

3.根据权利要求1所述的H桥驱动电路，其特征在于，所述晶体管NM1为NMOS管。

4.根据权利要求3所述的H桥驱动电路，其特征在于，所述控制电路包括信号端H_CTR1、信号端L_CTR1、电压参考端VREG、晶体管PM3、晶体管NM4、晶体管NM5以及电阻R1；所述晶体管NM5为NMOS管，所述晶体管NM5的栅极与信号端H_CTR1连接，源极与接地端GND连接，漏极连接于升压电路与晶体管NM2的栅极连接处；所述晶体管NM4为NMOS管，所述晶体管NM4的栅极与信号端L_CTR1连接，源极与接地端GND连接，漏极通过电阻R1连接于钳位电路与晶体管NM1的栅极连接处；所述晶体管PM3为PMOS管，其栅极与信号端L_CTR1连接，漏极通过电阻R1与晶体管NM4的漏极连接，源极与电压参考端VREG连接。

5.根据权利要求4所述的H桥驱动电路，其特征在于，所述控制电路通过所述信号端H_CTR1和信号端L_CTR1接收所述外部控制信号。

6.根据权利要求3所述的H桥驱动电路，其特征在于，所述升压电路包括信号端VB、信号端CLK1、信号端CLK2、晶体管PM5、晶体管PM4、晶体管NM6、晶体管NM7、电容C1、稳压管ZD0、二极管D1以及二极管D2，所述晶体管PM5、所述晶体管PM4为PMOS管，所述晶体管NM6、所述晶体管NM7为NMOS管；所述晶体管PM5的栅极与所述信号端CLK2连接，源极与所述电源端VCC连接，漏极与所述晶体管NM7的漏极连接；所述晶体管PM4的栅极与所述控制电路连接，漏极经过所述二极管D2与所述晶体管NM2连接，源极连接于所述二极管D1与所述电容C1的连接处；所述稳压管ZD0与串联的所述二极管D1、所述电容C1相并联，所述稳压管ZD0的负极端与所述电源端VCC和二极管D1的正极端连接，正极端与所述晶体管PM5的漏极和电容C1的负极板连接；所述晶体管NM7的栅极与信号端CLK1连接，漏极连接于所述稳压管ZD0与所述晶体管PM5的漏极的连接处，所述晶体管NM7的源极与所述晶体管NM6的漏极连接，所述晶体管NM6的栅极与所述信号端VB连接，所述晶体管NM6的源极接地。

7.根据权利要求3所述的H桥驱动电路，其特征在于，所述钳位电路包括信号端IB、电阻R2、晶体管PM1、晶体管PM2以及晶体管NM3；所述晶体管PM1、所述晶体管PM2为PMOS管，所述晶体管NM3为NMOS管；所述晶体管PM1的栅极与其自身的漏极和所述晶体管PM2的栅极连接，所述晶体管PM1的源极与所述电源端VCC连接，漏极与信号端IB连接；所述晶体管PM2的源极经过所述电阻R2与所述晶体管NM2的源极连接，漏极与所述晶体管NM3的漏极连接，所述晶体管NM3的栅极连接于电阻R2与所述晶体管NM1的源极的连接处，所述晶体管NM3的源极连接于所述控制电路与所述晶体管NM1的栅极连接处。