[发明专利]一种超薄二氧化锰纳米片石墨烯复合材料的制备方法在审
申请号: | 201710286064.6 | 申请日: | 2017-04-27 |
公开(公告)号: | CN107069037A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 俞泽民;张勇;张起峰;关长利;陈路尧;曲宝 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理工大学 |
主分类号: | H01M4/583 | 分类号: | H01M4/583;H01M4/62;H01M4/505;H01G11/32;H01G11/46;H01G11/86;B82Y30/00;B82Y40/00 |
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地址: | 150080 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超薄 二氧化锰 纳米 石墨 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种超薄二氧化锰纳米片石墨烯复合材料的制备方法,其特征在于制备方法是按以下步骤进行的:一.化学气相沉积制备泡沫石墨烯柔性基底:将泡沫镍压扁至0.2 mm厚,然后用电极裁片机裁成直径R=12mm的电极圆片,使用1 M HCl清洗去除氧化层,把15个电极圆片放入管式炉,在1000 ℃ H2 (50 sccm):Ar (280 sccm) 条件下热处理20 min,随后通入CH4 (2.5 sccm)生长20 min,最后冷却到室温不需刻蚀泡沫镍即获得独立自支撑的柔性电极基底;二.超薄二氧化锰纳米片阵列的生长:首先用10 ml浓盐酸对电极圆片进行寖泡预处理;称取2.5 mmol高锰酸钾与1 ml浓盐酸在45 ml去离子水中混合搅拌10 min,将上述溶液转移到100 ml水热反应釜中,至填充率90%,随后放入3片预处理后的电极圆片,85 ℃下水热反应时间20 min - 3 h;反应后对电极圆片去离子水洗涤、80 ℃条件下干燥24 h,制得生长在三维石墨烯上的超薄二氧化锰纳米片阵列复合材料。
2. 根据权利要求1所述的一种超薄二氧化锰纳米片石墨烯复合材料的制备方法,其特征在于步骤一中通入CH4 (2.5 sccm)生长20 min,最后冷却到室温不需刻蚀泡沫镍即获得独立自支撑的柔性电极基底。
3.根据权利要求1所述的一种超薄二氧化锰纳米片石墨烯复合材料的制备方法,其特征在于步骤二中首先用10 ml浓盐酸对电极圆片进行寖泡预处理。
4.根据权利要求1所述的一种超薄二氧化锰纳米片石墨烯复合材料的制备方法,其特征在于步骤二中2.5 mmol高锰酸钾与1 ml浓盐酸在45 ml去离子水中混合搅拌10 min。
5.根据权利要求1所述的一种超薄二氧化锰纳米片石墨烯复合材料的制备方法,其特征在于步骤二中85 ℃下水热反应时间20 min - 3 h。
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