[发明专利]光强分布的测量方法

权利要求书

1.一种光强分布的测量方法，包括以下步骤：

S1,提供一光强分布的检测系统，将所述光强分布的检测系统设置在真空环境中，所述光强分布的检测系统包括一碳纳米管阵列、一反射镜、一成像元件和一冷却装置，该碳纳米管阵列设置于一生长基底；

S2,启动所述冷却装置冷却所述生长基底使所述生长基底与所述碳纳米管阵列的接触表面维持恒温；

S3,用一待测光源照射所述碳纳米管阵列，使该碳纳米管阵列辐射出可见光，并持续冷却所述生长基底使所述生长基底与所述碳纳米管阵列的接触表面维持恒温；

S4,所述碳纳米管阵列所辐射的可见光经所述反射镜反射；

S5,利用所述成像元件对所述反射镜所反射的可见光成像，读出待测光源的光强分布。

2.如权利要求1所述的光强分布的测量方法，其特征在于，所述冷却装置设置在所述生长基底与所述成像元件之间，且所述冷却装置与远离所述碳纳米管阵列的所述生长基底的表面接触设置。

3.如权利要求1所述的光强分布的测量方法，其特征在于，所述冷却装置为盛放有冷却介质的装置时，通过所述冷却装置的注入口将所述冷却介质注入到腔体，在压力作用下使其从所述冷却装置的输出口流出，使所述冷却装置里的所述冷却介质不断循环持续冷却所述生长基底。

4.如权利要求1所述的光强分布的测量方法，其特征在于，所述冷却装置为数字温度控制装置时，通过控制器精确调控所述数字温度控制装置的温度冷却所述生长基底。

5.如权利要求1所述的光强分布的测量方法，其特征在于，所述光强分布的检测系统进一步包括多个温度传感器，该多个温度传感器设置在所述冷却装置与所述生长基底之间，所述冷却装置装置包括多个冷却单元，通过多个温度传感器检测所述生长基底局部位置的温度变化，通过该多个冷却单元调控所述生长基底局部位置的温度。

6.如权利要求1所述的光强分布的测量方法，其特征在于，所述碳纳米管阵列具有一远离所述生长基底的第一表面以及一与该第一表面相对设置且与所述生长基底接触的第二表面，所述待测光源照射所述碳纳米管阵列的第一表面，该碳纳米管阵列辐射出可见光。

7.如权利要求6所述的光强分布的测量方法，其特征在于，所述待测光源沿着平行于所述碳纳米管阵列中碳纳米管轴向的方向照射所述碳纳米管阵列的第一表面。

8.如权利要求1所述的光强分布的测量方法，其特征在于，在所述待测光源光照射方向上，所述冷却装置的横截面积与所述生长基底的横截面积相同。

9.如权利要求1所述的光强分布的测量方法，其特征在于，所述反射镜的焦点落在碳纳米管阵列的第一表面的中心位置。

10.如权利要求1所述的光强分布的测量方法，其特征在于，所述碳纳米管阵列中碳纳米管与基底的表面之间的角度为大于等于10度且小于等于90度。