[发明专利]三维结构纳米氧化铟气敏传感器及其制备方法

权利要求书

1.三维结构纳米氧化铟气敏传感器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)将附有金电极和铂导电丝的陶瓷平面电极依次在丙酮，乙醇和去离子水中超声清洗5min，烘干备用；

(2)称取一定量的氧化铟纳米粉体，与松油醇混合，在研钵中研磨30min，使其成为分散均匀的浆料；

(3)采用旋涂法将氧化铟浆料涂抹于陶瓷平面电极上制成气敏元件，将所述气敏元件置于烘箱中烘干；

(4)然后将步骤(3)所得气敏元件置于马弗炉，在500-800℃下煅烧2h，制备成具有三维结构的纳米氧化铟气敏元件；

(5)将所述的气敏元件的铂导电丝焊接在气敏器件的基座上部的四根引线柱上并加盖管帽；

(6)将步骤(5)所得的气敏器件老化处理3-10天后得到旁热式氧化铟纳米气敏传感器。

2.根据权利要求1所述三维结构纳米氧化铟气敏传感器的制备方法，其特征在于：

步骤(2)所述的氧化铟粉体为三维结构，直径为100-200nm。

3.根据权利要求1所述三维结构纳米氧化铟气敏传感器的制备方法，其特征在于：

步骤(3)中所述的旋涂法转速为5000-8000r/min。

4.根据权利要求1所述三维结构纳米氧化铟气敏传感器的制备方法，其特征在于：

步骤(4)中的控制煅烧升温速率为5-10℃/min。

5.根据权利要求1所述三维结构纳米氧化铟气敏传感器的制备方法，其特征在于：

步骤(6)中所述老化为电老化，两端所加电压为5V。

6.根据权利要求1所述三维结构纳米氧化铟气敏传感器的制备方法，其特征在于：

步骤(1)和步骤(3)所述的烘干是指在温度为80-100℃的烘箱中烘干。

7.一种三维结构纳米氧化铟气敏传感器，其特征在于所述三维结构纳米氧化铟气敏传感器是通过权利要求1至6任一权利要求所述制备方法制备得到的。

8.根据权利要求7所述三维结构纳米氧化铟气敏传感器，其特征在于：所述三维结构纳米氧化铟气敏传感器包括陶瓷平面电极、气敏材料、基座及管帽，所述的陶瓷平面电极正面为金电极，有四条引线，背面为电阻加热层，用于气敏元件的加热处理，所述的气敏材料为三维结构的氧化铟材料，涂覆在陶瓷平面电极上，所述的陶瓷平面电极焊接于基座上，所述的管帽为管状不锈钢材料，可卡套在基座上，高度略高于焊接后的陶瓷平面电极，顶端为不锈钢网。