[发明专利]一种由多个焦平面探测器组成的曲率可控的曲面探测器在审
申请号: | 201710252822.2 | 申请日: | 2017-04-18 |
公开(公告)号: | CN106989827A | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 杨鑫;王鹏;王宏臣;陈文礼;甘先锋;董珊;孙丰沛 | 申请(专利权)人: | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 |
主分类号: | G01J5/02 | 分类号: | G01J5/02;G01J5/10 |
代理公司: | 烟台上禾知识产权代理事务所(普通合伙)37234 | 代理人: | 刘志毅 |
地址: | 264006 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多个焦 平面 探测器 组成 曲率 可控 曲面 | ||
1.一种由多个焦平面探测器组成的曲率可控的曲面探测器,其特征在于,包括多个呈曲面排列的焦平面探测器,多个所述焦平面探测器为同一型号。
2.根据权利要求1所述的一种由多个焦平面探测器组成的曲率可控的曲面探测器,其特征在于,所述焦平面探测器包括半导体基座和设置在半导体基座上的探测器本体;所述半导体基座与所述探测器本体通过读出电路电连接,所述半导体基座的横截面尺寸与所述探测器本体的横截面尺寸一致。
3.根据权利要求2所述的一种由多个焦平面探测器组成的曲率可控的曲面探测器,其特征在于,所述半导体基座上包括读出电路,所述读出电路的面积与所述探测器本体的面积相同。
4.根据权利要求2所述的一种由多个焦平面探测器组成的曲率可控的曲面探测器,其特征在于,所述探测器本体与所述半导体基座连接处设有读出电路。
5.根据权利要求3所述的一种由多个焦平面探测器组成的曲率可控的曲面探测器,其特征在于,所述探测器本体包括绝缘介质层、金属反射层、第一支撑层、金属电极层,所述半导体基座上设有金属反射层和绝缘介质层,所述金属反射层包括若干个金属块;
所述金属块上设有第一支撑层,所述第一支撑层上设有第一通孔,所述第一通孔终止于所述金属块,所述第一支撑层上和第一通孔内设有金属电极层,所述金属电极层包括设置在所述第一支撑层上的金属电极和设置在所述第一通孔内的金属连线;
所述金属电极层上设有第一保护层,所述第一保护层上设有第二支撑层,所述第二支撑层上设有第二通孔,所述第二通孔终止于所述金属电极,所述第二支撑层上和第二通孔内设有电极金属层;
所述电极金属层上设有热敏层,所述热敏层不能完全覆盖电极金属层,所述热敏层通过所述电极金属层与所述金属电极层电连接;所述热敏层上和电极金属层上设有第二保护层。
6.根据权利要求3所述的一种由多个焦平面探测器组成的曲率可控的曲面探测器,其特征在于,所述探测器本体包括金属反射层、绝缘介质层、支撑层和氧化钛薄膜,所述半导体基座上设有金属反射层和绝缘介质层,所述金属反射层包括若干个金属块;
所述绝缘介质层上设有支撑层,所述支撑层上设有锚点孔和通孔,所述通孔终止于所述金属块,所述锚点孔和所述通孔内填充有连接金属,所述支撑层和所述连接金属上设有氧化钛薄膜,所述氧化钛薄膜包括在桥面区域的半导体氧化钛薄膜和在桥腿区域的导体氧化钛薄膜,所述半导体氧化钛薄膜上设有第一保护层,所述导体氧化钛薄膜和所述第一保护层上设有第二保护层。
7.根据权利要求3所述的一种由多个焦平面探测器组成的曲率可控的曲面探测器,其特征在于,所述探测器本体包括金属反射层、绝缘介质层和支撑层,所述半导体基座上设有金属反射层和绝缘介质层,所述金属反射层包括若干个金属块;
所述绝缘介质层上设有支撑层,所述支撑层上设有锚点孔和通孔,所述通孔终止于所述金属块,所述锚点孔和所述通孔内填充有连接金属,所述支撑层的桥面区域设有氧化钛薄膜,所述氧化钛薄膜为半导体,所述连接金属及所述支撑层的桥腿区域设有与所述氧化层薄膜处于同一层的钛薄膜,所述钛薄膜上设有第一保护层,所述氧化钛薄膜和所述第一保护层上设有第二保护层。
8.根据权利要求5所述的一种由多个焦平面探测器组成的曲率可控的曲面探测器,其特征在于,所述第一支撑层和第二支撑层为氮化硅,其厚度为所述第一保护层和第二保护层为氮化硅。
9.根据权利要求5-7任一项所述的一种由多个焦平面探测器组成的曲率可控的曲面探测器,其特征在于,所述的绝缘介质层为氮化硅薄膜或者氧化硅薄膜,厚度为
10.根据权利要求5-7任一项所述的一种由多个焦平面探测器组成的曲率可控的曲面探测器,其特征在于,所述金属反射层的厚度为金属反射层对波长为8~14μm的红外光的反射率在99%以上。
11.根据权利要求5所述的一种由多个焦平面探测器组成的曲率可控的曲面探测器,其特征在于,所述热敏层为氧化钒、氧化钛、氧化铌、氧化坞、氧化锰、氧化铌、氧化钴、氧化铜、多晶硅或氧化钡钛。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于烟台睿创微纳技术股份有限公司,未经烟台睿创微纳技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710252822.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种温度测量装置
- 下一篇:制造具有微囊的电磁辐射探测器的方法