[发明专利]一种长线传输驱动器的加固电路及时钟线长线传输电路

权利要求书

1.一种抗核辐射芯片中长线传输驱动器BUFFER的加固电路，其特征在于，包括串联在输入信号clkin与输出信号clkout之间的若干个加固反相器inv。

2.根据权利要求1所述的一种抗核辐射芯片中长线传输驱动器BUFFER的加固电路，其特征在于，所述的加固反相器inv包括串联的加固反相器inv1与加固反相器inv2，其中，所述的加固反相器inv1接收输入信号clkin，所述的加固反相器inv1的输出作为所述加固反相器inv2的输入，所述的加固反相器inv2的输出作为输出信号clkout。

3.根据权利要求2所述的一种抗核辐射芯片中长线传输驱动器BUFFER的加固电路，其特征在于，所述加固反相器inv1由p1、n1、p2和n2构成，所述的p1、n1、p2和n2的栅极与输入信号clkin连接，所述的p1、p2的源极接Vdd，n2的源极接Vss，p2、n2的漏极相连交于sp2，n1的源极与sp2连接，P1、n1的漏极相连交于sp1，所述的sp1作为加固反相器inv1的输出。

4.根据权利要求3所述的一种抗核辐射芯片中长线传输驱动器BUFFER的加固电路，其特征在于，所述加固反相器inv2由p3、n3、p4和n4构成，所述的p3、n3、p4和n4的栅极与加固反相器inv1的输出sp1连接，p3、p4的源极接Vdd，n4的源极接Vss，所述p3、n4的漏极相连交于sp4，n3的源极与sp4相连，P3、n3的漏极相连交于sp3，sp3作为加固反相器inv2的输出。

5.根据权利要求4所述的一种抗核辐射芯片中长线传输驱动器BUFFER的加固电路，其特征在于，所述的加固反相器inv1和加固反相器inv2的NMOS管的栅采用环形栅设计，以对场区进行加固。

6.根据权利要求5所述的一种抗核辐射芯片中长线传输驱动器BUFFER的加固电路，其特征在于，所述驱动器BUFFER采用三阱工艺，其中，在p型衬底上形成n阱，在n阱的底部形成n⁺深阱，再在n阱里形成p阱，在p阱里制造NMOS器件，n⁺深阱接最高电压。

7.一种抗核辐射芯片中时钟线长线传输电路，其特征在于,包括时钟长线的输出驱动buffer1和接收终端buffer2，所述的时钟长线的输出驱动buffer1与接收终端buffer2之间串联有若干个如权利要求1所述的加固电路。

8.根据权利要求7所述的一种抗核辐射芯片中时钟线长线传输电路，其特征在于,包括依次串联的加固反相器inv1、加固反相器inv2、加固反相器inv3和加固反相器inv4，其中，输出驱动buffer1连接加固反相器inv1的输入，加固反相器inv1的输出作为加固反相器inv2的输入，加固反相器inv2的输出作为加固反相器inv3的输入，加固反相器inv3的输出作为加固反相器inv4的输入，加固反相器inv4的输出连接接收终端buffer2。